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公开(公告)号：CN117223110A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202280026597.X
申请日：2022-03-29
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·雷兹尼塞克 , 谢瑞龙 , B·赫克马修阿塔巴里 , 宁德雄
IPC: H01L29/775
Abstract: 竖直对齐且堆叠的半导体沟道层，由功函数金属和栅极电介质分开，栅极电介质部分地包围功函数金属且使功函数金属与每个半导体沟道层分开，功函数金属的第一部分直接接触每个层的竖直侧壁。竖直对齐和堆叠的第一组半导体沟道层和第二组半导体沟道层，由功函数金属分开，栅极电介质部分地包围功函数金属并且使功函数金属与每个半导体沟道层物理地分开，在第一组和第二组之间的功函数金属的第一部分直接接触每个层的侧壁。形成竖直对齐并堆叠的交替的牺牲层和半导体沟道层的初始堆叠体，形成竖直开口，从而创建纳米片层的第一堆叠体和纳米片层的第二堆叠体，并且暴露两个堆叠体的交替的层的竖直侧表面。
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