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公开(公告)号：CN102414788B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201080018567.1
申请日：2010-06-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L31/035227 , Y10S977/813 , Y10S977/827
Abstract: 提供用于制造基于纳米线/微线的太阳能电池的技术。在一个方面中，提供用于制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤。提供掺杂衬底。在该衬底上沉积单层球体。该球体包括纳米球、微球或其组合。修整该球体以在单层中的单独球体之间引入空间。修整后的球体被用作掩模以对该衬底中的接线进行图案化。该接线包括纳米线、微线或其组合。在图案化的接线上形成掺杂发射极层。在该发射极层之上沉积顶部接触电极。在该衬底的与该接线相反的一侧上沉积底部接触电极。
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公开(公告)号：CN103180970A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051453.1
申请日：2011-10-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0326 , H01L31/022483 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种制造诸如CuZnSn(S,Se)（CZTSSe）之类的太阳能电池的方法，包括以下步骤。利用钼（Mo）层来涂覆基板。将应力消减层沉积在Mo层上。利用扩散阻挡层来涂覆所述应力消减层。将吸收层构成成分沉积在扩散阻挡层上，其中，该构成成分包括硫（S）和硒（Se）中的一种或多种。对该构成成分进行退火，以形成吸收层，其中，所述应力消减层消减对所述吸收层施加的热应力，并且其中，所述扩散阻挡层阻止S和Se中的一种或多种扩散至Mo层中。在所述吸收层上形成缓冲层。在所述缓冲层上形成透明导电电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103180970B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180051453.1
申请日：2011-10-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0326 , H01L31/022483 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种制造诸如CuZnSn(S,Se)（CZTSSe）之类的太阳能电池的方法，包括以下步骤。利用钼（Mo）层来涂覆基板。将应力消减层沉积在Mo层上。利用扩散阻挡层来涂覆所述应力消减层。将吸收层构成成分沉积在扩散阻挡层上，其中，该构成成分包括硫（S）和硒（Se）中的一种或多种。对该构成成分进行退火，以形成吸收层，其中，所述应力消减层消减对所述吸收层施加的热应力，并且其中，所述扩散阻挡层阻止S和Se中的一种或多种扩散至Mo层中。在所述吸收层上形成缓冲层。在所述缓冲层上形成透明导电电极。
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公开(公告)号：CN103996739A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410168382.9
申请日：2010-06-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/035227 , Y10S977/813 , Y10S977/827
Abstract: 本发明提供用于制造基于纳米线/微线的太阳能电池的技术。在一个方面中，提供用于制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤。提供掺杂衬底。在该衬底上沉积单层球体。该球体包括纳米球、微球或其组合。修整该球体以在单层中的单独球体之间引入空间。修整后的球体被用作掩模以对该衬底中的接线进行图案化。该接线包括纳米线、微线或其组合。在图案化的接线上形成掺杂发射极层。在该发射极层之上沉积顶部接触电极。在该衬底的与该接线相反的一侧上沉积底部接触电极。
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公开(公告)号：CN103996739B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410168382.9
申请日：2010-06-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/035227 , Y10S977/813 , Y10S977/827
Abstract: 提供用于制造基于纳米线/微线的太阳能电池的技术。在一个方面中，提供用于制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤。提供掺杂衬底。在该衬底上沉积单层球体。该球体包括纳米球、微球或其组合。修整该球体以在单层中的单独球体之间引入空间。修整后的球体被用作掩模以对该衬底中的接线进行图案化。该接线包括纳米线、微线或其组合。在图案化的接线上形成掺杂发射极层。在该发射极层之上沉积顶部接触电极。在该衬底的与该接线相反的一侧上沉积底部接触电极。
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公开(公告)号：CN103180969A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051092.0
申请日：2011-10-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/072 , H01L21/02422 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02557 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L31/0326 , Y02E10/50
Abstract: 在衬底上真空沉积Kesterite膜并对其进行退火。沉积在低温下进行以提供良好的组分控制和有效的金属使用。在高温下进行短时长的退火。可采用在高真空环境中热蒸发、电子束蒸发或溅射作为沉积方法的一部分。
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公开(公告)号：CN102414788A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018567.1
申请日：2010-06-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L31/035227 , Y10S977/813 , Y10S977/827
Abstract: 提供用于制造基于纳米线/微线的太阳能电池的技术。在一个方面中，提供用于制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤。提供掺杂衬底。在该衬底上沉积单层球体。该球体包括纳米球、微球或其组合。修整该球体以在单层中的单独球体之间引入空间。修整后的球体被用作掩模以对该衬底中的接线进行图案化。该接线包括纳米线、微线或其组合。在图案化的接线上形成掺杂发射极层。在该发射极层之上沉积顶部接触电极。在该衬底的与该接线相反的一侧上沉积底部接触电极。
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