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公开(公告)号：CN103180970B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180051453.1
申请日：2011-10-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0326 , H01L31/022483 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种制造诸如CuZnSn(S,Se)（CZTSSe）之类的太阳能电池的方法，包括以下步骤。利用钼（Mo）层来涂覆基板。将应力消减层沉积在Mo层上。利用扩散阻挡层来涂覆所述应力消减层。将吸收层构成成分沉积在扩散阻挡层上，其中，该构成成分包括硫（S）和硒（Se）中的一种或多种。对该构成成分进行退火，以形成吸收层，其中，所述应力消减层消减对所述吸收层施加的热应力，并且其中，所述扩散阻挡层阻止S和Se中的一种或多种扩散至Mo层中。在所述吸收层上形成缓冲层。在所述缓冲层上形成透明导电电极。
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公开(公告)号：CN103180970A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051453.1
申请日：2011-10-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0326 , H01L31/022483 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种制造诸如CuZnSn(S,Se)（CZTSSe）之类的太阳能电池的方法，包括以下步骤。利用钼（Mo）层来涂覆基板。将应力消减层沉积在Mo层上。利用扩散阻挡层来涂覆所述应力消减层。将吸收层构成成分沉积在扩散阻挡层上，其中，该构成成分包括硫（S）和硒（Se）中的一种或多种。对该构成成分进行退火，以形成吸收层，其中，所述应力消减层消减对所述吸收层施加的热应力，并且其中，所述扩散阻挡层阻止S和Se中的一种或多种扩散至Mo层中。在所述吸收层上形成缓冲层。在所述缓冲层上形成透明导电电极。
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公开(公告)号：CN104103713B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410140680.7
申请日：2014-04-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/022466 , H01L31/0322 , H01L31/0326 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , H01L31/1884 , Y02E10/541
Abstract: 本发明涉及用于多晶薄膜太阳能电池的保护性绝缘层和化学机械抛光。一种形成光伏器件的方法，包括：在导电层上形成具有粒状结构的吸收体层；在所述吸收体层上共形地沉积绝缘保护层以在所述吸收体层的晶粒之间进行填充；以及平面化所述保护层和所述吸收体层。在所述吸收体层上形成缓冲层，并且在所述缓冲层上形成顶部透明导体层。
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公开(公告)号：CN104103713A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410140680.7
申请日：2014-04-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/0352 , H01L31/072
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/022466 , H01L31/0322 , H01L31/0326 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , H01L31/1884 , Y02E10/541
Abstract: 本发明涉及用于多晶薄膜太阳能电池的保护性绝缘层和化学机械抛光。一种形成光伏器件的方法，包括：在导电层上形成具有粒状结构的吸收体层；在所述吸收体层上共形地沉积绝缘保护层以在所述吸收体层的晶粒之间进行填充；以及平面化所述保护层和所述吸收体层。在所述吸收体层上形成缓冲层，并且在所述缓冲层上形成顶部透明导体层。
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