公开(公告)号：CN103180970B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180051453.1

申请日：2011-10-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 王克嘉 ,  B·申 ,  N·博杰尔祖克 ,  S·古哈

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/0326 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种制造诸如CuZnSn(S,Se)（CZTSSe）之类的太阳能电池的方法，包括以下步骤。利用钼（Mo）层来涂覆基板。将应力消减层沉积在Mo层上。利用扩散阻挡层来涂覆所述应力消减层。将吸收层构成成分沉积在扩散阻挡层上，其中，该构成成分包括硫（S）和硒（Se）中的一种或多种。对该构成成分进行退火，以形成吸收层，其中，所述应力消减层消减对所述吸收层施加的热应力，并且其中，所述扩散阻挡层阻止S和Se中的一种或多种扩散至Mo层中。在所述吸收层上形成缓冲层。在所述缓冲层上形成透明导电电极。

公开(公告)号：CN103180970A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180051453.1

申请日：2011-10-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 王克嘉 ,  B·申 ,  N·博杰尔祖克 ,  S·古哈

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/0326 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种制造诸如CuZnSn(S,Se)（CZTSSe）之类的太阳能电池的方法，包括以下步骤。利用钼（Mo）层来涂覆基板。将应力消减层沉积在Mo层上。利用扩散阻挡层来涂覆所述应力消减层。将吸收层构成成分沉积在扩散阻挡层上，其中，该构成成分包括硫（S）和硒（Se）中的一种或多种。对该构成成分进行退火，以形成吸收层，其中，所述应力消减层消减对所述吸收层施加的热应力，并且其中，所述扩散阻挡层阻止S和Se中的一种或多种扩散至Mo层中。在所述吸收层上形成缓冲层。在所述缓冲层上形成透明导电电极。