公开(公告)号：CN110603647A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201880028471.X

申请日：2018-06-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·卡夫 ,  何虹 ,  P·蒙塔尼尼 ,  E·米勒 ,  S·卡纳卡萨巴帕赛 ,  A·格林

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了包括多层栅极隔离的FinFET器件，以及制造FinFET器件的方法，其中在形成栅极隔离时，利用多层栅极隔离来防止或最小化垂直半导体鳍的腐蚀。例如，一种用于制造半导体器件的方法，包括：在FinFET器件的垂直半导体鳍的一部分上形成伪栅极结构；以及在伪栅极结构上形成多层栅极隔离。多层栅极隔离包括第一电介质层和第二电介质层，其中第一电介质层相对于垂直半导体鳍和第二电介质层具有蚀刻选择性。在一个实施例中，第一电介质层包括碳氮氧化硅(SiOCN)，第二电介质层包括碳氮化硼硅(SiBCN)。

公开(公告)号：CN104064555A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310726298.X

申请日：2013-12-20

Applicant: 意法半导体公司 ,  国际商业机器公司 ,  格罗方德公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： P·蒙塔尼尼 ,  G·利克 ,  B·H·恩格尔 ,  R·M·米勒 ,  J·Y·金

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0802 ,  H01L29/66545

Abstract: 使用替换金属栅极(RMG)工艺提供用于与金属栅极晶体管并排创建精密多晶硅电阻器的机会。在形成牺牲多晶硅栅极期间，多晶硅电阻器也可以从相同多晶硅膜形成。可以略微凹陷多晶硅电阻器，使得保护绝缘层可以在用金属栅极随后替换牺牲栅极期间覆盖电阻器。使用这样的工艺来制作的精密多晶硅电阻器的最终结构比为具有金属栅极晶体管的集成电路提供金属电阻器的现有结构更紧凑并且复杂性更少。另外，可以通过向多晶硅膜注入掺杂物、调整多晶硅膜厚度或者二者来自由调节精密多晶硅电阻器至具有所需薄片电阻。

公开(公告)号：CN204614777U

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201320870763.2

申请日：2013-12-20

Applicant: 意法半导体公司 ,  国际商业机器公司 ,  格罗方德公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： P·蒙塔尼尼 ,  G·利克 ,  B·H·恩格尔 ,  R·M·米勒 ,  J·Y·金

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0802 ,  H01L29/66545

Abstract: 本实用新型的实施例公开了一种精密多晶硅电阻器结构及集成电路。使用替换金属栅极(RMG)工艺提供用于与金属栅极晶体管并排创建精密多晶硅电阻器的机会。在形成牺牲多晶硅栅极期间，多晶硅电阻器也可以从相同多晶硅膜形成。可以略微凹陷多晶硅电阻器，使得保护绝缘层可以在用金属栅极随后替换牺牲栅极期间覆盖电阻器。使用这样的工艺来制作的精密多晶硅电阻器的最终结构比为具有金属栅极晶体管的集成电路提供金属电阻器的现有结构更紧凑并且复杂性更少。另外，可以通过向多晶硅膜注入掺杂物、调整多晶硅膜厚度或者二者来自由调节精密多晶硅电阻器至具有所需薄片电阻。