公开(公告)号：CN103928560A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410177611.3

申请日：2014-04-29

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  胡海帆 ,  兰浩 ,  于成浩 ,  魏佳童

IPC: H01L31/09 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603

Abstract: 本发明涉及一种应用在粒子探测器、辐射探测器中的辐射探测器像素结构。传感器电荷收集电极为三维电极由重掺杂硅沟槽构成，每个像素电极由硅深沟槽结构隔离开，传感器电荷收集电极和像素隔离都为深沟槽结构，且相等深度。传感器电荷收集电极和衬底硅杂质类型相反，即收集电极为P型，衬底硅为N型；收集电极为N型，衬底硅为P型；收集电极中杂质浓度要比衬底硅浓度大6～7个数量级。本发明提出了一种辐射探测器像素结构，有效提高像素对电荷的收集效率，改善了电荷收集时间，屏蔽了像素间串扰噪声，且降低了传感器反偏电压，以及像素级功耗。