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公开(公告)号：CN106024926B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610560686.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0312 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 快速光电恢复响应的近紫外光电位敏传感器及其制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有窄禁带半导体紫外光电位敏传感需要遮光片的问题。该近紫外光电位敏传感器具有金属氧化物—SiC结构，在β‑SiC基片上采用激光脉冲沉积金属氧化物层，其中的金属氧化物为Fe3O4、Al‑ZnO、In2O3或F‑SnO2。制备方法：一、金属氧化物粉末压片成型，制备金属氧化物靶材；二、清洗β‑SiC基片；三、采用准分子激光器辐照金属氧化物靶材，利用激光脉冲在基片上沉积金属氧化物层。本发明采用的SiC宽禁带半导体仅在紫外/近紫外光区响应，所以不需要增加遮光片，并且该传感器的位置灵敏度较高。
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公开(公告)号：CN101979722A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201010563025.4
申请日：2010-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 具有低磁场巨磁热效应DyTiO3单晶材料及其制备方法，它属于磁制冷材料领域。目的是为了提供一种具有良好的化学稳定性、较高的电阻率、较高的磁熵变、无热滞和磁滞、环境友好的具有低磁场巨磁热效应DyTiO3单晶材料及其制备方法。本发明单晶材料由Dy2O3、TiO2和Ti粉制成，制备方法：将Dy2O3烧结，将TiO2烘烤；将经过处理的Dy2O3、TiO2与Ti粉研磨后制成细棒，将细棒生长DyTiO3单晶，即得。本发明的DyTiO3钙钛矿单晶材料在磁场变化为1.5T下，最大磁熵变的绝对值达到8.10J/kg K；在磁场变化为1.5T下，DyTiO3钙钛矿单晶材料相对制冷能力RCP值达到123J/kg。
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公开(公告)号：CN111270205B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010099720.3
申请日：2020-02-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法，本发明涉及一种p型半导体性氧化物薄膜的制备方法，制备方法：一、清洗衬底，得到清洗处理后的衬底；二、将清洗处理后的衬底放在托盘上，利用机械泵和分子泵将生长室抽至本底真空，衬底加热到530～580℃，以NiFe2O4陶瓷材料为靶材，调整高能脉冲激光器，控制脉冲激光输出为能量100～250mJ进行脉冲激光沉积薄膜，薄膜沉积过程中生长氧分压为0.1～20mTorr，得到尖晶石相p型半导体性氧化物薄膜。本发明采用脉冲激光沉积方法生长NiFe2O4半导体氧化物薄膜，在较低氧分压下得到的四面体Fe缺失的NiFe2O4薄膜是一种p型半导体材料。
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公开(公告)号：CN106024926A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610560686.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0312 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , H01L31/0312 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 快速光电恢复响应的近紫外光电位敏传感器及其制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有窄禁带半导体紫外光电位敏传感需要遮光片的问题。该近紫外光电位敏传感器具有金属氧化物—SiC结构，在β‑SiC基片上采用激光脉冲沉积金属氧化物层，其中的金属氧化物为Fe3O4、Al‑ZnO、In2O3或F‑SnO2。制备方法：一、金属氧化物粉末压片成型，制备金属氧化物靶材；二、清洗β‑SiC基片；三、采用准分子激光器辐照金属氧化物靶材，利用激光脉冲在基片上沉积金属氧化物层。本发明采用的SiC宽禁带半导体仅在紫外/近紫外光区响应，所以不需要增加遮光片，并且该传感器的位置灵敏度较高。
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公开(公告)号：CN107808908A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201711099351.2
申请日：2017-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18 , G01D5/26
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , G01D5/26 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 基于稀土镍酸盐-铌掺杂钛酸锶的异质结材料及其传感器制备方法和应用，本发明属于传感器领域，它为了解决现有紫外光电探测器的响应速度较慢，未有同时兼具自驱动紫外光电传感器和位敏传感器材料器件的问题。该基于稀土镍酸盐-铌掺杂钛酸锶的异质结材料具有p-n结结构，在n型铌掺杂钛酸锶基片上采用激光脉冲沉积有厚度为5～20nm的p型镍酸盐氧化物层，其中的镍酸盐氧化物为镍酸钕、镍酸钐或镍酸钆。在该异质结表面镀有金电极制备传感器，此传感器能够应用于自驱动紫外光电探测器和位敏传感器中。本发明利用Nb:SrTiO3半导体仅在紫外/近紫外光区响应的特点，其探测范围接近日盲区范围，且光电响应速度快。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104868014A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510233175.1
申请日：2015-05-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/032
Abstract: 一种基于窄带隙铁电薄膜的光伏器件的制备方法，本发明属于半导体材料技术领域，它为了解决现有光伏器件中铁电体薄膜的带隙宽，光照产生的光电流较小的问题。光伏器件的制备方法：一、称取K2CO3、Nb2O5、BaCO3和NiO作为原料，采用固相反应法制备掺杂KNbO3陶瓷靶材；二、清洗单晶SrTiO3基片作为基底；三、在基底的表面沉积底电极；四、使用掺杂KNbO3陶瓷作为靶材，脉冲激光沉积KNbO3基薄膜；五、在KNbO3基薄膜表面沉积顶电极。本发明通过Ba、Ni共掺减小了铌酸钾的帯隙，从而能够吸收低于700nm的光，并使掺杂KNbO3薄膜的光电流达到20pA。
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公开(公告)号：CN117448938A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311448503.0
申请日：2023-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含Li的氧化物单晶生长装置及方法，涉及一种含Li的氧化物单晶生长装置及方法。装置由进气管、出气管、第一真空电极、第二真空电极、多层真空法兰、石英玻璃管、含铂电极的碳棒、石英盖、石墨坩埚、气罐、集气瓶、洗气瓶和井式炉构成；含Li的氧化物单晶生长的方法：将粉末状的原材料混合均匀得到混合粉末并放入石墨坩埚中，通入惰性气体并打开直流稳压电源，加热保温。本发明的设备操作简单方便，成本低廉，可以满足在不同气氛下生长单晶。通过本发明的装置可以使用熔盐电解法快速生长含Li的氧化物单晶，生长过程操作简单中且稳定性好，实验结果可重复性高。
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公开(公告)号：CN114657639B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202011530106.4
申请日：2020-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种单相磁致伸缩与磁致负热膨胀材料及其制备方法。本发明属于负热膨胀材料及其制备领域。本发明的目的在于解决现有Fe2TiO4单晶样品不是化学整比，存在Ti缺位的技术问题。本发明的单相磁致伸缩与磁致负热膨胀材料为Fe2TiO4单晶。制备方法：将三氧化二铁、钛粉与二氧化钛混合均匀，然后在等静压机中压制成棒材，置入真空密封的石英管中，然后放在管式炉烧结，再将烧结好的预制体置于光学浮区炉中，在纯净的氩气气氛中生长单晶，得到磁致负热膨胀材料Fe2TiO4单晶。Fe2TiO4单晶在室温下是立方相尖晶石结构，当磁场超过1kOe时，其在2K～120K温度区间内表现出巨负热膨胀效应，可用于航空航天、机密机械制造等领域。
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公开(公告)号：CN114657639A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011530106.4
申请日：2020-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种单相磁致伸缩与磁致负热膨胀材料及其制备方法。本发明属于负热膨胀材料及其制备领域。本发明的目的在于解决现有Fe2TiO4单晶样品不是化学整比，存在Ti缺位的技术问题。本发明的单相磁致伸缩与磁致负热膨胀材料为Fe2TiO4单晶。制备方法：将三氧化二铁、钛粉与二氧化钛混合均匀，然后在等静压机中压制成棒材，置入真空密封的石英管中，然后放在管式炉烧结，再将烧结好的预制体置于光学浮区炉中，在纯净的氩气气氛中生长单晶，得到磁致负热膨胀材料Fe2TiO4单晶。Fe2TiO4单晶在室温下是立方相尖晶石结构，当磁场超过1kOe时，其在2K～120K温度区间内表现出巨负热膨胀效应，可用于航空航天、机密机械制造等领域。
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公开(公告)号：CN111270205A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010099720.3
申请日：2020-02-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法，本发明涉及一种p型半导体性氧化物薄膜的制备方法，制备方法：一、清洗衬底，得到清洗处理后的衬底；二、将清洗处理后的衬底放在托盘上，利用机械泵和分子泵将生长室抽至本底真空，衬底加热到530～580℃，以NiFe2O4陶瓷材料为靶材，调整高能脉冲激光器，控制脉冲激光输出为能量100～250mJ进行脉冲激光沉积薄膜，薄膜沉积过程中生长氧分压为0.1～20mTorr，得到尖晶石相p型半导体性氧化物薄膜。本发明采用脉冲激光沉积方法生长NiFe2O4半导体氧化物薄膜，在较低氧分压下得到的四面体Fe缺失的NiFe2O4薄膜是一种p型半导体材料。
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