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公开(公告)号：CN117448938A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311448503.0
申请日：2023-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含Li的氧化物单晶生长装置及方法，涉及一种含Li的氧化物单晶生长装置及方法。装置由进气管、出气管、第一真空电极、第二真空电极、多层真空法兰、石英玻璃管、含铂电极的碳棒、石英盖、石墨坩埚、气罐、集气瓶、洗气瓶和井式炉构成；含Li的氧化物单晶生长的方法：将粉末状的原材料混合均匀得到混合粉末并放入石墨坩埚中，通入惰性气体并打开直流稳压电源，加热保温。本发明的设备操作简单方便，成本低廉，可以满足在不同气氛下生长单晶。通过本发明的装置可以使用熔盐电解法快速生长含Li的氧化物单晶，生长过程操作简单中且稳定性好，实验结果可重复性高。
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