公开(公告)号：CN106024926B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610560686.9

申请日：2016-07-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王先杰 ,  宋炳乾 ,  宋波 ,  隋郁 ,  胡昌

IPC: H01L31/0312 ,  H01L31/032 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 快速光电恢复响应的近紫外光电位敏传感器及其制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有窄禁带半导体紫外光电位敏传感需要遮光片的问题。该近紫外光电位敏传感器具有金属氧化物—SiC结构，在β‑SiC基片上采用激光脉冲沉积金属氧化物层，其中的金属氧化物为Fe3O4、Al‑ZnO、In2O3或F‑SnO2。制备方法：一、金属氧化物粉末压片成型，制备金属氧化物靶材；二、清洗β‑SiC基片；三、采用准分子激光器辐照金属氧化物靶材，利用激光脉冲在基片上沉积金属氧化物层。本发明采用的SiC宽禁带半导体仅在紫外/近紫外光区响应，所以不需要增加遮光片，并且该传感器的位置灵敏度较高。

公开(公告)号：CN107808908B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201711099351.2

申请日：2017-11-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王先杰 ,  周倩 ,  胡昌 ,  隋郁 ,  宋波

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  G01D5/26

Abstract: 基于稀土镍酸盐‑铌掺杂钛酸锶的异质结材料及其传感器制备方法和应用，本发明属于传感器领域，它为了解决现有紫外光电探测器的响应速度较慢，未有同时兼具自驱动紫外光电传感器和位敏传感器材料器件的问题。该基于稀土镍酸盐‑铌掺杂钛酸锶的异质结材料具有p‑n结结构，在n型铌掺杂钛酸锶基片上采用激光脉冲沉积有厚度为5～20nm的p型镍酸盐氧化物层，其中的镍酸盐氧化物为镍酸钕、镍酸钐或镍酸钆。在该异质结表面镀有金电极制备传感器，此传感器能够应用于自驱动紫外光电探测器和位敏传感器中。本发明利用Nb:SrTiO3半导体仅在紫外/近紫外光区响应的特点，其探测范围接近日盲区范围，且光电响应速度快。

公开(公告)号：CN107808908A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201711099351.2

申请日：2017-11-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王先杰 ,  周倩 ,  胡昌 ,  隋郁 ,  宋波

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  G01D5/26

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/109 ,  G01D5/26 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 基于稀土镍酸盐-铌掺杂钛酸锶的异质结材料及其传感器制备方法和应用，本发明属于传感器领域，它为了解决现有紫外光电探测器的响应速度较慢，未有同时兼具自驱动紫外光电传感器和位敏传感器材料器件的问题。该基于稀土镍酸盐-铌掺杂钛酸锶的异质结材料具有p-n结结构，在n型铌掺杂钛酸锶基片上采用激光脉冲沉积有厚度为5～20nm的p型镍酸盐氧化物层，其中的镍酸盐氧化物为镍酸钕、镍酸钐或镍酸钆。在该异质结表面镀有金电极制备传感器，此传感器能够应用于自驱动紫外光电探测器和位敏传感器中。本发明利用Nb:SrTiO3半导体仅在紫外/近紫外光区响应的特点，其探测范围接近日盲区范围，且光电响应速度快。

公开(公告)号：CN106024926A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610560686.9

申请日：2016-07-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王先杰 ,  宋炳乾 ,  宋波 ,  隋郁 ,  胡昌

IPC: H01L31/0312 ,  H01L31/032 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 快速光电恢复响应的近紫外光电位敏传感器及其制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有窄禁带半导体紫外光电位敏传感需要遮光片的问题。该近紫外光电位敏传感器具有金属氧化物—SiC结构，在β‑SiC基片上采用激光脉冲沉积金属氧化物层，其中的金属氧化物为Fe3O4、Al‑ZnO、In2O3或F‑SnO2。制备方法：一、金属氧化物粉末压片成型，制备金属氧化物靶材；二、清洗β‑SiC基片；三、采用准分子激光器辐照金属氧化物靶材，利用激光脉冲在基片上沉积金属氧化物层。本发明采用的SiC宽禁带半导体仅在紫外/近紫外光区响应，所以不需要增加遮光片，并且该传感器的位置灵敏度较高。