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公开(公告)号：CN114922790A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210554919.X
申请日：2022-05-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于ICP内耦合放电的射频离子推力器，属于等离子体推进技术领域。将镀有保护膜的螺旋状线圈置于电离室内，且螺旋状线圈的中心线和电离室的中心线共轴，螺旋状线圈的中心线到电离室的内侧壁的距离与螺旋状线圈的直径相同，可以减小推进工质与射频天线间的距离，改善电离室中的感应电场分布，有效增大电离密度，改善等离子体分布不均的问题，从而能够提高现有射频离子推力器的电离程度，改善推力器性能。
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公开(公告)号：CN114922790B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202210554919.X
申请日：2022-05-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于ICP内耦合放电的射频离子推力器，属于等离子体推进技术领域。将镀有保护膜的螺旋状线圈置于电离室内，且螺旋状线圈的中心线和电离室的中心线共轴，螺旋状线圈的中心线到电离室的内侧壁的距离与螺旋状线圈的直径相同，可以减小推进工质与射频天线间的距离，改善电离室中的感应电场分布，有效增大电离密度，改善等离子体分布不均的问题，从而能够提高现有射频离子推力器的电离程度，改善推力器性能。
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公开(公告)号：CN114893374B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202210553768.6
申请日：2022-05-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明涉及一种强化电离的射频离子推力器，包括：射频源、阻抗匹配网络、射频线圈、电离室、中和器、光学系统、栅极电路、直流电源和推进工质高压存储瓶；在电离室的输入端与推进工质高压存储瓶之间设有两个供气通道；每一供气通道的输出端均设有径向扩散供气装置；径向扩散供气装置包括封闭盖板，封闭盖板覆盖于供气通道的输出端，封闭盖板与供气通道连接处设有若干个供气孔；电离室的内侧壁面上绕设有波纹凸起。通过优化进气方式和改变电离室内壁面的结构，强化电离室内的电离，提高射频离子推力器的射频电磁场能量耦合效率，提高射频离子体推力器的性能及放电稳定性。
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公开(公告)号：CN114893374A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210553768.6
申请日：2022-05-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明涉及一种强化电离的射频离子推力器，包括：射频源、阻抗匹配网络、射频线圈、电离室、中和器、光学系统、栅极电路、直流电源和推进工质高压存储瓶；在电离室的输入端与推进工质高压存储瓶之间设有两个供气通道；每一供气通道的输出端均设有径向扩散供气装置；径向扩散供气装置包括封闭盖板，封闭盖板覆盖于供气通道的输出端，封闭盖板与供气通道连接处设有若干个供气孔；电离室的内侧壁面上绕设有波纹凸起。通过优化进气方式和改变电离室内壁面的结构，强化电离室内的电离，提高射频离子推力器的射频电磁场能量耦合效率，提高射频离子体推力器的性能及放电稳定性。
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公开(公告)号：CN117448938A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311448503.0
申请日：2023-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含Li的氧化物单晶生长装置及方法，涉及一种含Li的氧化物单晶生长装置及方法。装置由进气管、出气管、第一真空电极、第二真空电极、多层真空法兰、石英玻璃管、含铂电极的碳棒、石英盖、石墨坩埚、气罐、集气瓶、洗气瓶和井式炉构成；含Li的氧化物单晶生长的方法：将粉末状的原材料混合均匀得到混合粉末并放入石墨坩埚中，通入惰性气体并打开直流稳压电源，加热保温。本发明的设备操作简单方便，成本低廉，可以满足在不同气氛下生长单晶。通过本发明的装置可以使用熔盐电解法快速生长含Li的氧化物单晶，生长过程操作简单中且稳定性好，实验结果可重复性高。
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