公开(公告)号：CN111270205B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202010099720.3

申请日：2020-02-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王先杰 ,  宋炳乾 ,  隋郁 ,  宋波 ,  张伶莉

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C04B35/28

Abstract: 尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法，本发明涉及一种p型半导体性氧化物薄膜的制备方法，制备方法：一、清洗衬底，得到清洗处理后的衬底；二、将清洗处理后的衬底放在托盘上，利用机械泵和分子泵将生长室抽至本底真空，衬底加热到530～580℃，以NiFe2O4陶瓷材料为靶材，调整高能脉冲激光器，控制脉冲激光输出为能量100～250mJ进行脉冲激光沉积薄膜，薄膜沉积过程中生长氧分压为0.1～20mTorr，得到尖晶石相p型半导体性氧化物薄膜。本发明采用脉冲激光沉积方法生长NiFe2O4半导体氧化物薄膜，在较低氧分压下得到的四面体Fe缺失的NiFe2O4薄膜是一种p型半导体材料。

公开(公告)号：CN113380911B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202110644498.5

申请日：2021-06-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张伶莉 ,  申哲远 ,  王先杰 ,  胡君北 ,  宋波

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  G01B11/00

Abstract: 基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料及光电位敏传感器的制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有光电位敏传感器的响应速度较慢，位置灵敏度不高的问题。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料具有p‑n结结构，在n型硼掺杂硅基片上采用激光脉冲沉积有厚度为150～250nm的p型卤素钙钛矿溴化物层，其中所述的p型卤素钙钛矿溴化物为CsSnBr3或CsPbBr3。将该异质结表面镀有金电极制备传感器。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料的传感器位置敏感度高，光电响应速度快，其位置灵敏度最大在405nm波长、10mW功率的激光照射下，达到了880mV/mm。

公开(公告)号：CN113380911A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110644498.5

申请日：2021-06-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张伶莉 ,  申哲远 ,  王先杰 ,  胡君北 ,  宋波

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  G01B11/00

Abstract: 基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料及光电位敏传感器的制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有光电位敏传感器的响应速度较慢，位置灵敏度不高的问题。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料具有p‑n结结构，在n型硼掺杂硅基片上采用激光脉冲沉积有厚度为150～250nm的p型卤素钙钛矿溴化物层，其中所述的p型卤素钙钛矿溴化物为CsSnBr3或CsPbBr3。将该异质结表面镀有金电极制备传感器。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料的传感器位置敏感度高，光电响应速度快，其位置灵敏度最大在405nm波长、10mW功率的激光照射下，达到了880mV/mm。