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公开(公告)号：CN1274397C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410011085.X
申请日：2004-09-08
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J3/06 , C01B21/064
Abstract: 本发明的通过化学反应制备立方氮化硼的方法属超硬材料的制备方法。以单质硼或氧化硼和氮化锂为反应物，按质量比B或B2O3∶Li3N＝1∶0.8～1.3配料；在高温高压下反应生成立方氮化硼晶体；反应的条件为：压力：3.0～6.0GPa；温度：1400～1700℃；加热时间3～10分钟。本发明在较低的压力和较低的温度下，通过化学反应生成立方氮化硼晶体，得到的产品有较强的cBN的X-光衍射谱，粒径在20～400微米范围。由于工艺比较简单，合成压力和温度也都大大降低，从而适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN1050445C
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：CN98116919.8
申请日：1998-08-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属一种半导体元件的制备方法，特别涉及c-BN/金刚石薄膜异质P-N结的制备方法。采用直接合成片状立方氮化硼单晶，再用热灯丝化学气相沉积方法，通过B掺杂在N型片状c-BN单晶衬底上生长P型金刚石薄膜中获得P-N型。N型c-BN单晶可通过在高压合成c-BN原料中掺Si或对合成的纯净片状c-BN单晶扩散Si得到。本发明工艺过程简单，加工难度小，产品重复性好，生产效率高，得到的P-N结具有优良的V-A特性。
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公开(公告)号：CN1091996A
公开(公告)日：1994-09-14
申请号：CN93104175.9
申请日：1993-04-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明为一种用表面改性石墨作原料的高压金刚石合成方法。主要是以化学气相沉积的方法，在石墨片表面生长适当数量和尺寸的CVD金刚石作为晶种，再经组装、合成、化学处理、筛分选形工艺过程，生产大颗粒高压金刚石。由于CVD金刚石表面干净、杂质少，而且生长的数量和尺寸可以控制，而适合作晶种。同时使合成高压金刚石的压力降低约0.5GPa，提高了金刚石的转化率和粗粒度。
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公开(公告)号：CN1360091A
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：CN01138743.2
申请日：2001-11-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的用金属镁作触媒合成黄色立方氮化硼单晶的方法属超硬材料的合成方法。以六角氮化硼为原料,以金属镁为触媒,以氧化镁或氧化钙为添加剂,经混料—压注成形—装入石墨容器,制成组装块;将组装块放入压机腔体,经高温高压合成立方氮化硼单晶。混料中原料、触媒、添加剂按质量比为1∶(0.1～0.3)∶(0.3～1);高温高压合成是在温度为1000～2000℃,压力为4.0～6.0Gpa条件下保温4～10分钟。前述的组装块可按混装方式或层装方式进行组装。本发明由于用Mg、MgO、CaO作触媒和添加剂,其原料稳定易于保管,廉价且易于生产,降低了成本,简化了工艺过程,便于实施。本发明由于添加恰当比例的MgO、CaO,所得产品cBN晶体生长良好,硼氮比例接近1∶1,为黄色半透明的晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1206931A
公开(公告)日：1999-02-03
申请号：CN98116919.8
申请日：1998-08-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属一种半导体元件的制备方法,特别涉及c－BN/金刚石薄膜异质P－N结的制备方法。采用直接合成片状立方氮化硼单晶,再用热灯丝化学气相沉积方法,通过B掺杂在N型片状c－BN单晶衬底上生长P型金刚石薄膜中获得P－N型。N型c－BN单晶可通过在高压合成c－BN原料中掺Si或对合成的纯净片状c－BN单晶扩散Si得到。本发明工艺过程简单,加工难度小,产品重复性好,生产效率高,得到的P－N结具有优良的V－A特性。
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公开(公告)号：CN101807519A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010128715.7
申请日：2010-03-22
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及一种立方氮化硼单晶-薄膜同质P-N结的制备方法，属于半导体元件的制备方法。该方法包括有合成半导体特性的立方氮化硼单晶片和制备掺杂的立方氮化硼薄膜，该立方氮化硼薄膜与立方氮化硼单晶片的半导体特性相反，所述的合成半导体特性的立方氮化硼单晶片，是采用高压直接合成或高压再扩散的方法，所述的制备掺杂的立方氮化硼薄膜，是以上述具有半导体特性的立方氮化硼单晶片为衬底，采用真空气相沉积的方法，掺杂生长半导体类型与衬底类型相反的立方氮化硼薄膜。所述真空气相沉积的方法是真空物理气相沉积法或真空化学气相沉积法。其降低了工艺难度、提高了生产效率和成品率等，较从前的高压合成、再生长制备cBN同质P-N结技术有很大的提高。
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公开(公告)号：CN1605383A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410011085.X
申请日：2004-09-08
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J3/06 , C01B21/064
Abstract: 本发明的通过化学反应制备立方氮化硼的方法属超硬材料的制备方法。以单质硼或氧化硼和氮化锂为反应物，按质量比B或B2O3∶Li3N＝1∶0.8～1.3配料；在高温高压下反应生成立方氮化硼晶体；反应的条件为：压力：3.0～6.0GPa；温度：1400～1700℃；加热时间3～10分钟。本发明在较低的压力和较低的温度下，通过化学反应生成立方氮化硼晶体，得到的产品有较强的cBN的X－光衍射谱，粒径在20～400微米范围。由于工艺比较简单，合成压力和温度也都大大降低，从而适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN1137294C
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN01138743.2
申请日：2001-11-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的用金属镁作触媒合成黄色立方氮化硼单晶的方法属超硬材料的合成方法。以六角氮化硼为原料，以金属镁为触媒，以氧化镁或氧化钙为添加剂，经混料—压注成形—装入石墨容器，制成组装块；将组装块放入压机腔体，经高温高压合成立方氮化硼单晶。混料中原料、触媒、添加剂按质量比为1∶(0.1～0.3)∶(0.3～1)；高温高压合成是在温度为1000～2000℃，压力为4.0～6.0Gpa条件下保温4～10分钟。前述的组装块可按混装方式或层装方式进行组装。本发明由于用Mg、MgO、CaO作触媒和添加剂，其原料稳定易于保管，廉价且易于生产，降低了成本，简化了工艺过程，便于实施。本发明由于添加恰当比例的MgO、CaO，所得产品cBN晶体生长良好，硼氮比例接近1∶1，为黄色半透明的晶体。
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