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公开(公告)号：CN105568220B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201610027359.7
申请日：2016-01-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种磁控溅射制备立方氮化硼厚膜的方法，属于超硬材料及其制备的技术领域。以硅片为衬底，以h‑BN或单质硼靶为溅射靶材，采用两步沉积法制备c‑BN厚膜。在Ar/N2混合气体气氛下先溅射第一层氮化硼膜，再通入H2，按质量流量计H2用量为气体总流量的4％～15％，保持衬底温度、调节衬底负偏压溅射第二层氮化硼膜。本发明的方法在不使用过渡层、加H2量较少的条件下，直接在硅衬底上获得立方相含量75％以上，甚至超过95％的c‑BN厚膜，膜厚可达4μm以上，其稳定性得到了显著提高。
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公开(公告)号：CN101545095B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200910066895.8
申请日：2009-05-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的石墨衬底上生长氮化硼膜的方法属于功能膜材料的技术领域。有石墨衬底的清洁处理和磁控溅射沉积的工艺过程；所述的石墨衬底的清洁处理有机械抛光、去离子水冲洗后分别浸入丙酮和乙醇溶液中超声清洗；所述的磁控溅射沉积过程是以六角氮化硼作为溅射靶材；在氩气和氮气气氛下，调节射频功率为100～180W，沉积0.5～70小时，在石墨衬底上生长cBN或/和eBN膜。本发明具有如下显著特点：生长的BN膜纯度高；不使用衬底偏压制备的膜应力低，膜表面没有裂痕；没有衬底加热，减少设备的工艺要求，降低了能量损耗和制备成本；BN膜长时间放置在空气中不剥落。
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公开(公告)号：CN105568220A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610027359.7
申请日：2016-01-15
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: C23C14/0647 , C23C14/0063 , C23C14/35
Abstract: 本发明的一种磁控溅射制备立方氮化硼厚膜的方法，属于超硬材料及其制备的技术领域。以硅片为衬底，以h-BN或单质硼靶为溅射靶材，采用两步沉积法制备c-BN厚膜。在Ar/N2混合气体气氛下先溅射第一层氮化硼膜，再通入H2，按质量流量计H2用量为气体总流量的4％～15％，保持衬底温度、调节衬底负偏压溅射第二层氮化硼膜。本发明的方法在不使用过渡层、加H2量较少的条件下，直接在硅衬底上获得立方相含量75％以上，甚至超过95％的c-BN厚膜，膜厚可达4μm以上，其稳定性得到了显著提高。
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公开(公告)号：CN101789463B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010117462.3
申请日：2010-03-04
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明的n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结光电器件及制备方法，属于半导体材料及其制备的技术领域。光电器件是n型氧化锌纳米棒高取向竖直生长在p型金刚石上；用银浆在导电阴极和导电阳极上分别连接铜导线。制备方法的第1步生长硼掺杂的p-型多晶微米金刚石膜或硼掺杂的p-型金刚石单晶；第2步在p型金刚石溅射ZnO晶种层；第3步在乙酸锌和六次甲基四胺的混合水溶液中，在ZnO晶种层上生长ZnO纳米棒；第4步制作电极。本发明利用水热合成法在金刚石上制备ZnO纳米棒结构，通过调节ZnO的尺寸、退火处理、金刚石的掺硼浓度、晶粒尺寸等手段在低温下获得性能优越的异质结；方法简单成本低，适合大规模生产及应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101807519A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010128715.7
申请日：2010-03-22
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及一种立方氮化硼单晶-薄膜同质P-N结的制备方法，属于半导体元件的制备方法。该方法包括有合成半导体特性的立方氮化硼单晶片和制备掺杂的立方氮化硼薄膜，该立方氮化硼薄膜与立方氮化硼单晶片的半导体特性相反，所述的合成半导体特性的立方氮化硼单晶片，是采用高压直接合成或高压再扩散的方法，所述的制备掺杂的立方氮化硼薄膜，是以上述具有半导体特性的立方氮化硼单晶片为衬底，采用真空气相沉积的方法，掺杂生长半导体类型与衬底类型相反的立方氮化硼薄膜。所述真空气相沉积的方法是真空物理气相沉积法或真空化学气相沉积法。其降低了工艺难度、提高了生产效率和成品率等，较从前的高压合成、再生长制备cBN同质P-N结技术有很大的提高。
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公开(公告)号：CN101789463A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010117462.3
申请日：2010-03-04
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明的n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结光电器件及制备方法，属于半导体材料及其制备的技术领域。光电器件是n型氧化锌纳米棒高取向竖直生长在p型金刚石上；用银浆在导电阴极和导电阳极上分别连接铜导线。制备方法的第1步生长硼掺杂的p-型多晶微米金刚石膜或硼掺杂的p-型金刚石单晶；第2步在p型金刚石溅射ZnO晶种层；第3步在乙酸锌和六次甲基四胺的混合水溶液中，在ZnO晶种层上生长ZnO纳米棒；第4步制作电极。本发明利用水热合成法在金刚石上制备ZnO纳米棒结构，通过调节ZnO的尺寸、退火处理、金刚石的掺硼浓度、晶粒尺寸等手段在低温下获得性能优越的异质结；方法简单成本低，适合大规模生产及应用。
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公开(公告)号：CN101012129B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200610131606.4
申请日：2006-11-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的金刚石膜或天然金刚石的表面改性的方法，属金刚石膜或天然金刚石的应用技术领域。工艺过程有配置过程、改性过程。配置过程是按底托、防连接层、金属层、金刚石膜或天然金刚石颗粒加底托的配置顺序摆好，在其上施加约20KPa的压力。改性过程是将上述单元试件放入真空加热炉中，充入氢气或甲烷作为还原保护气体至500～3000Pa，对试件加温至800～1000℃，保温10～50分钟。本发明的改性方法工艺简单，使金刚石膜或天然金刚石与其他材料牢固焊接，与传统的PCD金刚石复合片的焊接工艺兼容，适合于金刚石制品的规模化生产。
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公开(公告)号：CN101545095A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910066895.8
申请日：2009-05-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的石墨衬底上生长氮化硼膜的方法属于功能膜材料的技术领域。有石墨衬底的清洁处理和磁控溅射沉积的工艺过程；所述的石墨衬底的清洁处理有机械抛光、去离子水冲洗后分别浸入丙酮和乙醇溶液中超声清洗；所述的磁控溅射沉积过程是以六角氮化硼作为溅射靶材；在氩气和氮气气氛下，调节射频功率为100～180W，沉积0.5～70小时，在石墨衬底上生长cBN或/和eBN膜。本发明具有如下显著特点：生长的BN膜纯度高；不使用衬底偏压制备的膜应力低，膜表面没有裂痕；没有衬底加热，减少设备的工艺要求，降低了能量损耗和制备成本；BN膜长时间放置在空气中不剥落。
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公开(公告)号：CN101012129A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200610131606.4
申请日：2006-11-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的金刚石膜或天然金刚石的表面改性的方法，属金刚石膜或天然金刚石的应用技术领域。工艺过程有配置过程、改性过程。配置过程是按底托、防连接层、金属层、金刚石膜或天然金刚石颗粒加底托的配置顺序摆好，在其上施加约20KPa的压力。改性过程是将上述单元试件放入真空加热炉中，充入氢气或甲烷作为还原保护气体至500～3000Pa，对试件加温至800～1000℃，保温10～50分钟。本发明的改性方法工艺简单，使金刚石膜或天然金刚石与其他材料牢固焊接，与传统的PCD金刚石复合片的焊接工艺兼容，适合于金刚石制品的规模化生产。
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