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公开(公告)号：CN101807519A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010128715.7
申请日：2010-03-22
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及一种立方氮化硼单晶-薄膜同质P-N结的制备方法，属于半导体元件的制备方法。该方法包括有合成半导体特性的立方氮化硼单晶片和制备掺杂的立方氮化硼薄膜，该立方氮化硼薄膜与立方氮化硼单晶片的半导体特性相反，所述的合成半导体特性的立方氮化硼单晶片，是采用高压直接合成或高压再扩散的方法，所述的制备掺杂的立方氮化硼薄膜，是以上述具有半导体特性的立方氮化硼单晶片为衬底，采用真空气相沉积的方法，掺杂生长半导体类型与衬底类型相反的立方氮化硼薄膜。所述真空气相沉积的方法是真空物理气相沉积法或真空化学气相沉积法。其降低了工艺难度、提高了生产效率和成品率等，较从前的高压合成、再生长制备cBN同质P-N结技术有很大的提高。
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