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公开(公告)号：CN1192691C
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN02132456.5
申请日：2002-06-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属在高压实验装置——金刚石对顶砧上集成金属电极的方法。经清洗(1)、溅射电极材料(2)、涂胶(3)、光刻(4)、腐蚀金属(5)、去胶(6)以及引线工艺过程制得钨或铬或钛的金属电极。电极材料(2)厚度为1000～2500，溅射电极材料过程中衬底温度保持在240～400℃。光刻(4)过程是保留需要集成电极部位的光刻胶(9)，而其余的地方光刻胶(9)被去掉。腐蚀金属(5)是指用光刻腐蚀剂去掉未被光刻胶(9)掩盖的电极材料。本发明能保证电极在砧面上有足够的附着力。电极厚度小，可消除由应力产生的电极崩裂现象。可避免高温对金刚石的损伤，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN1396801A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN02132456.5
申请日：2002-06-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属在高压实验装置——金刚石对顶砧上集成金属电极的方法。经清洗(1)、溅射电极材料(2)、涂胶(3)、光刻(4)、腐蚀金属(5)、去胶(6)以及引线工艺过程制得钨或铬或钛的金属电极。电极材料(2)厚度为1000～2500A，溅射电极材料过程中衬底温度保持在240～400℃。光刻(4)过程是保留需要集成电极部位的光刻胶(9)，而其余的地方光刻胶(9)被去掉。腐蚀金属(5)是指用光刻腐蚀剂去掉未被光刻胶(9)掩盖的电极材料。本发明能保证电极在砧面上有足够的附着力。电极厚度小，可消除由应力产生的电极崩裂现象。可避免高温对金刚石的损伤，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN1409410A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02132902.8
申请日：2002-09-08
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/072 , H01L29/737 , H01L31/18 , H01L21/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的透明的n－型氧化锌/p－型金刚石薄膜异质结及其制备属一种透明p－n结及其制备方法。以金刚石单晶为衬底(5)，工艺过程包括衬底的清洗(10)、p－型金刚石单晶薄膜的沉积(11)、p－型金刚石单晶薄膜的化学处理(12)、金刚石薄膜的欧姆电极制作(13)、n－型氧化锌多晶薄膜(3)的选择性沉积(14)、氧化锌薄膜的欧姆电极的制作(15)。沉积p－型金刚石单晶薄膜(1)时放置硼源；金刚石薄膜的欧姆电极(2)是顺序沉积的钛、钼、金薄膜；氧化锌薄膜的欧姆电极(4)是金膜。本发明的制备工艺简单易于实现，而且本发明的异质结具有良好的伏－安特性、光学透明性和抗高温特性；电极的欧姆接触性能好并且牢固。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1050445C
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：CN98116919.8
申请日：1998-08-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属一种半导体元件的制备方法，特别涉及c-BN/金刚石薄膜异质P-N结的制备方法。采用直接合成片状立方氮化硼单晶，再用热灯丝化学气相沉积方法，通过B掺杂在N型片状c-BN单晶衬底上生长P型金刚石薄膜中获得P-N型。N型c-BN单晶可通过在高压合成c-BN原料中掺Si或对合成的纯净片状c-BN单晶扩散Si得到。本发明工艺过程简单，加工难度小，产品重复性好，生产效率高，得到的P-N结具有优良的V-A特性。
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公开(公告)号：CN1203558C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02132902.8
申请日：2002-09-08
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的透明的n-型氧化锌/p-型金刚石薄膜异质结及其制备属一种透明p-n结及其制备方法。以金刚石单晶为衬底(5)，工艺过程包括衬底的清洗(10)、p-型金刚石单晶薄膜的沉积(11)、p-型金刚石单晶薄膜的化学处理(12)、金刚石薄膜的欧姆电极制作(13)、n-型氧化锌多晶薄膜(3)的选择性沉积(14)、氧化锌薄膜的欧姆电极的制作(15)。沉积p-型金刚石单晶薄膜(1)时放置硼源；金刚石薄膜的欧姆电极(2)是顺序沉积的钛、钼、金薄膜；氧化锌薄膜的欧姆电极(4)是金膜。本发明的制备工艺简单易于实现，而且本发明的异质结具有良好的伏-安特性、光学透明性和抗高温特性；电极的欧姆接触性能好并且牢固。
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公开(公告)号：CN1082099C
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN99104646.3
申请日：1999-05-08
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明属纳米引晶法选择性生长金刚石膜的工艺。包括清洗衬底、蒸镀掩膜、涂胶、光刻、去胶、引晶、去掩膜和生长金刚石膜过程。衬底是硅、Si3N4或Mo，其表面蒸镀SiO2或Mo作掩膜，经光刻形成所需图形。再在纳米金刚石微粉的胶体溶液中引晶。去掩膜后用热灯丝CVD方法在有晶种的区域生长金刚石膜。本发明的工艺，选择比高、金刚石膜生长速度快、图形完整、对衬底无损伤、可在多种衬底上实现大面积均匀的选择性生长，适于在微电子领域广泛应用。
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公开(公告)号：CN1235206A
公开(公告)日：1999-11-17
申请号：CN99104646.3
申请日：1999-05-08
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明属纳米引晶法选择性生长金刚石膜的工艺。包括清洗衬底、蒸镀掩膜、涂胶、光刻、去胶、引晶、去掩膜和生长金刚石膜过程。衬底是硅、Si3N4或Mo,其表面蒸镀SiO2或Mo作掩膜,经光刻形成所需图形。再在纳米金刚石微粉的胶体溶液中引晶。去掩膜后用热灯丝CVD方法在有晶种的区域生长金刚石膜。本发明的工艺,选择比高、金刚石膜生长速度快、图形完整、对衬底无损伤、可在多种衬底上实现大面积均匀的选择性生长,适于在微电子领域广泛应用。
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公开(公告)号：CN1206931A
公开(公告)日：1999-02-03
申请号：CN98116919.8
申请日：1998-08-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属一种半导体元件的制备方法,特别涉及c－BN/金刚石薄膜异质P－N结的制备方法。采用直接合成片状立方氮化硼单晶,再用热灯丝化学气相沉积方法,通过B掺杂在N型片状c－BN单晶衬底上生长P型金刚石薄膜中获得P－N型。N型c－BN单晶可通过在高压合成c－BN原料中掺Si或对合成的纯净片状c－BN单晶扩散Si得到。本发明工艺过程简单,加工难度小,产品重复性好,生产效率高,得到的P－N结具有优良的V－A特性。
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