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公开(公告)号：CN1087040C
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN99124562.8
申请日：1999-12-10
Applicant: 吉林大学
IPC: C30B33/08
Abstract: 本发明属金刚石厚膜的表面刻蚀方法。采用稀土化合物浆料，如以氧化铈和硝酸镧为原料的浆料，印刷于金刚石厚膜生长面，再经400～600℃烧结2～5小时，最后用浓硫酸清洗。浆料是将原料与溶剂混合研磨再加调和剂配制而成。本发明原料便宜用量少，可刻蚀工艺简单，不需要真空高温的苛刻条件和复杂设备，成本降低；刻蚀效果好，能减小机械抛光时间；浆料丝网印刷可图形化。这些都利于金刚石厚膜在电子封装领域中的应用。
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公开(公告)号：CN1272557A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN99127573.X
申请日：1999-12-30
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/02 , C23C16/511 , C23C16/513
Abstract: 本发明的硅衬底上适于键合技术的金刚石膜的制备工艺,包括前处理—形成等离子体球—调整压力—生长金刚石膜—后处理的过程。将硅片表面在金刚石纳米粉溶液中磨研;之后在H2气氛中启动微波形成等离子体球;再按顺序调整CH4与H2比例、微波功率、气压和温度;最后在低气压下生长金刚石膜;后处理是在硅衬底上加负偏压,保温再缓慢降温。经上述过程制得的金刚石膜大面积均匀、品质好、消除了内应力,完全适合于硅片键合技术要求。
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公开(公告)号：CN100368140C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200410010895.3
申请日：2004-06-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的金刚石厚膜与硬质基体形成牢固连接的方法属超硬材料的焊接领域。工艺分前处理过程、装料过程、焊接过程。按基体、钎料、金刚石厚膜的顺序叠放置于真空炉的装料台上；真空炉抽真空至2×10-3Pa，以10～20℃/min升温速率升温至870℃，恒温40～60min，之后以8～12℃/min的降温速率降温至500℃，再自然降温至室温。钎料是片网状Ag-Cu合金和Ti箔，或使用TiH2或Ti粉与乙醇搅成糊状填充到Ag-Cu合金的网孔中。本发明能够避免Ti以层的形式存在对熔化后的Ag-Cu合金流动形成的阻碍，使Ag-Cu合金到达结合面的各个部位；工艺条件有利于消除在焊接过程中产生的内应力，从而连接牢固。
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公开(公告)号：CN1106456C
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN99127573.X
申请日：1999-12-30
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/02 , C23C16/511 , C23C16/513
Abstract: 本发明的硅衬底上适于键合技术的金刚石膜的制备工艺，包括前处理-形成等离子体球-调整压力-生长金刚石膜-后处理的过程。将硅片表面在金刚石纳米粉溶液中磨研；之后在H2气氛中启动微波形成等离子体球；再按顺序调整CH4与H2比例、微波功率、气压和温度；最后在低气压下生长金刚石膜；后处理是在硅衬底上加负偏压，保温再缓慢降温。经上述过程制得的金刚石膜大面积均匀、品质好、消除了内应力，完全适合于硅片键合技术要求。
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公开(公告)号：CN1258765A
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：CN99124562.8
申请日：1999-12-10
Applicant: 吉林大学
IPC: C30B33/08
Abstract: 本发明属金刚石厚膜的表面刻蚀方法。采用稀土化合物浆料,如以氧化铈和硝酸镧为原料的浆料,印刷于金刚石厚膜生长面,再经400～600℃烧结2～5小时,最后用浓硫酸清洗。浆料是将原料与溶剂混合研磨再加调和剂配制而成。本发明原料便宜用量少,可刻蚀工艺简单,不需要真空高温的苛刻条件和复杂设备,成本降低;刻蚀效果好,能减小机械抛光时间;浆料丝网印刷可图形化。这些都利于金刚石厚膜在电子封装领域中的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1258761A
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：CN99124561.X
申请日：1999-12-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属金刚石厚膜热沉基板的金属化工艺,采用MnO2、Ni、Au三种浆料,顺序分三次丝网印刷在金刚石厚膜生长面上,每次印刷后都在400～550℃温度下预烧5～20分钟,最后在真空度10-2,torr、约900℃下烧结MnO2浆料是将MnO2与溶剂一起研磨再调节未粘度制成。本发明的工艺使金属化图形表面致密无孔洞,附着力强,有较好的可焊性,金刚石厚膜基板又不被氧化,工艺简单,浆料成本低,对金刚石厚膜在微电子领域应用具有实际意义。
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公开(公告)号：CN101037793A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710055326.4
申请日：2007-02-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的高速生长金刚石单晶的装置和方法属金刚石材料技术领域。所说的装置是在化学气相沉积系统沉积室内的衬底架上装有的样品托5；样品托5是在多晶金刚石薄膜1上面装有闭合的环形框2。也可以在环形框2内的孔洞中放置金刚石微粉3。本发明的方法是，将单晶金刚石籽晶4置于环形框2的孔洞中放入沉积室，对籽晶进行在位等离子体先期刻蚀；然后在甲烷、氢气和氮气气氛中生长金刚石单晶。方法包括在位观测生长面亮度变化确定处理可能出现的非金刚石相及结构孔洞。本发明的装置结构简单适用；易于加工；对生长单晶金刚石不产生任何污染；导热好。本发明的方法可以获得透明的金刚石单晶，生长速度能大于100微米/小时。
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公开(公告)号：CN1173882C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN02133050.6
申请日：2002-09-25
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明的金/铁系元素复合膜上制备碳纳米管的方法属高浓度氢气气氛下直接制备碳纳米管的方法。首先在Si或SiO2衬底上溅射铁或钴或镍层，再溅射金层，制备出复合膜的催化剂；再将衬底置于热丝CVD设备中，以氢气和甲烷为反应气体，衬底温度为600～950℃，气体压力为12～30Tor，生长时间为10～120min；或在金/铁系元素复合膜上放置挡片，使氢气与甲烷的气体流量比为H2∶CH4＝100∶(1～100)；或不放置挡片，使H2∶CH4＝100∶(7.5～100)。本方法能制备出直径为20～200纳米的高纯多壁碳纳米管；无需对催化剂金属层预处理，不需要等离子体增强技术，达到简化工艺、缩短生长周期、降低成本的目的。在高氢气氛下生长的碳纳米管在场致发射、储氢及化学传感器等方面有较高的应用价值和良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN1046143C
公开(公告)日：1999-11-03
申请号：CN94116283.4
申请日：1994-09-24
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明的热阴极辉光PCVD制备金刚石膜的工艺属于一种制膜技术。工艺过程是：将清洗好的基片置于真空罩(室)内的阳极底座上，抽真空后，充入原料气体，在两极间加直流电压产生辉光，并保持阴极的温度在500℃以上。本工艺的阴极材料采用电子脱出功小、熔点高的金属制成，例如：Ta、Mo、W等。这种工艺的工作气压范围宽，辉光稳定，碳氢化合物的浓度较高，从而使金刚石膜的质量好，生长速率高，面积易于扩大，可制备出大面积厚膜，工艺条件也易于控制。
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