立方氮化硼单晶-薄膜同质P-N结的制备方法

    公开(公告)号:CN101807519A

    公开(公告)日:2010-08-18

    申请号:CN201010128715.7

    申请日:2010-03-22

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及一种立方氮化硼单晶-薄膜同质P-N结的制备方法,属于半导体元件的制备方法。该方法包括有合成半导体特性的立方氮化硼单晶片和制备掺杂的立方氮化硼薄膜,该立方氮化硼薄膜与立方氮化硼单晶片的半导体特性相反,所述的合成半导体特性的立方氮化硼单晶片,是采用高压直接合成或高压再扩散的方法,所述的制备掺杂的立方氮化硼薄膜,是以上述具有半导体特性的立方氮化硼单晶片为衬底,采用真空气相沉积的方法,掺杂生长半导体类型与衬底类型相反的立方氮化硼薄膜。所述真空气相沉积的方法是真空物理气相沉积法或真空化学气相沉积法。其降低了工艺难度、提高了生产效率和成品率等,较从前的高压合成、再生长制备cBN同质P-N结技术有很大的提高。

    石墨衬底上生长氮化硼膜的方法

    公开(公告)号:CN101545095B

    公开(公告)日:2010-11-03

    申请号:CN200910066895.8

    申请日:2009-05-04

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的石墨衬底上生长氮化硼膜的方法属于功能膜材料的技术领域。有石墨衬底的清洁处理和磁控溅射沉积的工艺过程;所述的石墨衬底的清洁处理有机械抛光、去离子水冲洗后分别浸入丙酮和乙醇溶液中超声清洗;所述的磁控溅射沉积过程是以六角氮化硼作为溅射靶材;在氩气和氮气气氛下,调节射频功率为100~180W,沉积0.5~70小时,在石墨衬底上生长cBN或/和eBN膜。本发明具有如下显著特点:生长的BN膜纯度高;不使用衬底偏压制备的膜应力低,膜表面没有裂痕;没有衬底加热,减少设备的工艺要求,降低了能量损耗和制备成本;BN膜长时间放置在空气中不剥落。

    具有氮化硼膜涂层的微生物接种器及其制备方法

    公开(公告)号:CN101775354A

    公开(公告)日:2010-07-14

    申请号:CN201010030849.5

    申请日:2010-01-21

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的具有氮化硼膜涂层的微生物接种器及其制备方法属于生物器械的技术领域。微生物接种器由手柄和铂材料或合金材料的接种丝(2)构成,在接种丝(2)的表面生长有氮化硼膜的涂层(1)。以经过预处理的接种丝(2)为基底,以六角氮化硼为靶材料,采用磁控溅射、真空蒸镀、离子镀或脉冲激光沉积的物理沉积方法或化学气相沉积方法在接种丝(2)表面生长氮化硼膜的涂层(1)。本发明所制备的涂层应力低,膜表面没有裂痕,与接种丝附着力强,长时间放置在空气中不剥落;多次烧灼实验表明,BN膜涂层不脱落,而烧结碳化的生物产物容易从接种丝上洗掉,清洗方便,二次污染小,可多次重复使用。

    具有氮化硼膜涂层的微生物接种器及其制备方法

    公开(公告)号:CN101775354B

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201010030849.5

    申请日:2010-01-21

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的具有氮化硼膜涂层的微生物接种器及其制备方法属于生物器械的技术领域。微生物接种器由手柄和铂材料或合金材料的接种丝(2)构成,在接种丝(2)的表面生长有氮化硼膜的涂层(1)。以经过预处理的接种丝(2)为基底,以六角氮化硼为靶材料,采用磁控溅射、真空蒸镀、离子镀或脉冲激光沉积的物理沉积方法或化学气相沉积方法在接种丝(2)表面生长氮化硼膜的涂层(1)。本发明所制备的涂层应力低,膜表面没有裂痕,与接种丝附着力强,长时间放置在空气中不剥落;多次烧灼实验表明,BN膜涂层不脱落,而烧结碳化的生物产物容易从接种丝上洗掉,清洗方便,二次污染小,可多次重复使用。

    石墨衬底上生长氮化硼膜的方法

    公开(公告)号:CN101545095A

    公开(公告)日:2009-09-30

    申请号:CN200910066895.8

    申请日:2009-05-04

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的石墨衬底上生长氮化硼膜的方法属于功能膜材料的技术领域。有石墨衬底的清洁处理和磁控溅射沉积的工艺过程;所述的石墨衬底的清洁处理有机械抛光、去离子水冲洗后分别浸入丙酮和乙醇溶液中超声清洗;所述的磁控溅射沉积过程是以六角氮化硼作为溅射靶材;在氩气和氮气气氛下,调节射频功率为100~180W,沉积0.5~70小时,在石墨衬底上生长cBN或/和eBN膜。本发明具有如下显著特点:生长的BN膜纯度高;不使用衬底偏压制备的膜应力低,膜表面没有裂痕;没有衬底加热,减少设备的工艺要求,降低了能量损耗和制备成本;BN膜长时间放置在空气中不剥落。

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