公开(公告)号：CN1050445C

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：CN98116919.8

申请日：1998-08-22

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张铁臣 ,  高春晓 ,  王成新 ,  季艳菊 ,  邹广田

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明属一种半导体元件的制备方法，特别涉及c-BN/金刚石薄膜异质P-N结的制备方法。采用直接合成片状立方氮化硼单晶，再用热灯丝化学气相沉积方法，通过B掺杂在N型片状c-BN单晶衬底上生长P型金刚石薄膜中获得P-N型。N型c-BN单晶可通过在高压合成c-BN原料中掺Si或对合成的纯净片状c-BN单晶扩散Si得到。本发明工艺过程简单，加工难度小，产品重复性好，生产效率高，得到的P-N结具有优良的V-A特性。

公开(公告)号：CN1206931A

公开(公告)日：1999-02-03

申请号：CN98116919.8

申请日：1998-08-22

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张铁臣 ,  高春晓 ,  王成新 ,  季艳菊 ,  邹广田

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明属一种半导体元件的制备方法,特别涉及c－BN/金刚石薄膜异质P－N结的制备方法。采用直接合成片状立方氮化硼单晶,再用热灯丝化学气相沉积方法,通过B掺杂在N型片状c－BN单晶衬底上生长P型金刚石薄膜中获得P－N型。N型c－BN单晶可通过在高压合成c－BN原料中掺Si或对合成的纯净片状c－BN单晶扩散Si得到。本发明工艺过程简单,加工难度小,产品重复性好,生产效率高,得到的P－N结具有优良的V－A特性。