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公开(公告)号：CN115116949A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210003422.9
申请日：2022-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 一种用于制造半导体特征件的方法，其包括：于半导体基板上沿着垂直方向交替地形成第一介质层及第二介质层；形成穿透第一介质层及第二介质层的多个分隔开的沟槽；形成填充沟槽的多个支撑区段；移除第二介质层以形成多个空间；形成填充所述空间的多个导电层；移除支撑区段以暴露导电层与第一介质层；选择性地形成阻挡层，其覆盖在导电层外侧的第一介质层；在阻挡层外侧的经暴露的导电层上形成多个选择性沉积子层，每个选择性沉积子层连接至所述导电层中的一层；在所述阻挡层外侧的所述选择性沉积子层上形成多个通道子层；移除所述阻挡层；形成填充所述沟槽的多个隔离子层；以及形成多个源极/漏极区段，每个源极/漏极区段连接至对应的一个通道子层。
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公开(公告)号：CN116266992A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202310116841.8
申请日：2023-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B51/30
Abstract: 本公开的各种实施例是针对一种集成芯片(IC)及其形成方法，其包括设置于基板中的第一电极结构。第一铁电结构设置于第一电极结构的第一侧。通道结构设置于第一铁电结构的第一侧。通道结构包括多个个别的通道结构以及多个绝缘结构。多个个别的通道结构以及多个绝缘结构交替堆叠。一对源极/漏极(S/D)结构设置于第一铁电结构的第一侧。上述一对S/D结构垂直延伸穿过通道结构，且第一电极结构横向设置于上述一对S/D结构的S/D结构之间。
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公开(公告)号：CN114975617A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210322710.0
申请日：2022-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 铁电场效晶体管装置，包括使用原子层沉积(ALD)沉积的铁电材料层。借由控制ALD沉积序列的参数，可以设计铁电层的晶体结构和铁电特性。包括相对较短前驱物脉冲持续时间和连续前驱物脉冲之间的清洗持续时间的ALD沉积序列可提供具有相对均匀晶粒尺寸和小平均晶粒尺寸的铁电层，这可以提供有效的铁电效能。包括相对较长前驱物脉冲持续时间和连续前驱物脉冲之间的清洗持续时间的ALD沉积序列可提供具有较不均匀晶粒尺寸和较大平均晶粒尺寸的铁电层。具有较大平均晶粒尺寸的铁电层可表现增强的结晶度和稳定的正交晶相，特别是在相对较薄的层中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114765179A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210022903.4
申请日：2022-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11507
Abstract: 本发明一些实施例关于集成芯片，其包括第一导电结构配置于基板上。存储层配置于第一导电结构上与第二导电结构下并包含铁电材料。退火的晶种层配置于第一导电结构与第二导电结构之间并直接位于存储层的第一侧上。含有斜方晶相的结晶结构量大于约35％。
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公开(公告)号：CN116234320A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310064685.5
申请日：2023-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开多种实施例直指一种集成芯片(IC)，包括下方栅极电极，设置于介电结构中。第一铁电结构覆盖下方栅极电极。第一浮动电极结构覆盖第一铁电结构。通道结构覆盖第一浮动电极结构。第二浮动电极结构覆盖通道结构。第二铁电结构覆盖第二浮动电极结构。上方栅极电极覆盖第二铁电结构。
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公开(公告)号：CN115732542A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210945688.5
申请日：2022-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H10B51/00
Abstract: 本公开提出一种场效晶体管装置。具有经过改善的铁电特性以及装置性能。所公开的FeFET装置包括铁电材料栅极介电层以及金属氧化物半导体体通道层，具有经过改善的铁电特性，例如增加的残留极化、低缺陷还有增加的载子迁移率，用以改善装置性能。
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公开(公告)号：CN115000172A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210278564.6
申请日：2022-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/786 , H01L21/34 , H01L27/1159
Abstract: 本公开涉及双栅极铁电场效应晶体管器件及其形成方法。具有双栅极结构的铁电场效应晶体管(FeFET)包括：第一栅极电极、第一栅极电极之上的第一铁电材料层、第一铁电材料层之上的半导体沟道层、与半导体沟道层接触的源极电极和漏极电极、半导体沟道层之上的第二铁电材料层、以及第二铁电材料层之上的第二栅极电极。
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公开(公告)号：CN220383484U
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202321665403.9
申请日：2023-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型是有关于一种三维存储器装置。所述三维存储器装置包括：多条栅极线，在垂直方向上交错排列于多个介电层之间，所述多条栅极线在所述多个介电层之间形成凹槽；源极/漏极线，设置于所述多个介电层旁边，所述源极/漏极线在侧向方向上通过凹槽而与所述多条栅极线间隔开；铁电薄膜，侧向地设置于所述多条栅极线的侧壁与源极/漏极线的侧壁之间且限定于凹槽内；以及半导体薄膜，设置于凹槽内且将铁电薄膜与源极/漏极线间隔开。
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