公开(公告)号：CN101345260B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200810137833.7

申请日：2008-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵元舜 ,  荆凤德 ,  洪彬舫 ,  颜丰裕 ,  林纲正 ,  黄国泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

Abstract: 一种半导体结构，包括：耐火金属硅化层；富硅耐火金属硅化层，位于该耐火金属硅化物上；以及富金属耐火金属硅化层，位于该富硅耐火金属硅化层上。该耐火金属硅化层、该富硅耐火金属硅化层与富金属耐火金属硅化层包括相同的耐火材料。该半导体结构构成金属氧化物半导体元件的栅极电极的一部分。本发明利用与带缘功函数相关的优势，且同时克服现有技术的不足。

公开(公告)号：CN101345260A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810137833.7

申请日：2008-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵元舜 ,  荆凤德 ,  洪彬舫 ,  颜丰裕 ,  林纲正 ,  黄国泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

Abstract: 一种半导体结构，包括：耐火金属硅化层；富硅耐火金属硅化层，位于该耐火金属硅化物上；以及富金属耐火金属硅化层，位于该富硅耐火金属硅化层上。该耐火金属硅化层、该富硅耐火金属硅化层与富金属耐火金属硅化层包括相同的耐火材料。该半导体结构构成金属氧化物半导体元件的栅极电极的一部分。本发明利用与带缘功函数相关的优势，且同时克服现有技术的不足。