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公开(公告)号：CN102956439B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210015271.5
申请日：2012-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L28/86 , H01L23/5223 , H01L28/40 , H01L28/90 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: MIM电容器的实施例可以被嵌入到厚的IMD层中，该厚IMD层的厚度(例如，至)足以得到高电容。该厚IMD层可以位于较薄的IMD层上面。MIM电容器可以形成在三个邻近的金属层之中，这些金属层具有两个将这三个邻近的金属层分隔开的厚的IMD层。材料(诸如，TaN或TiN)可以被用作为底部/顶部电极以及Cu阻挡物。厚IMD层上面的金属层可以作为顶部电极连接件。厚IMD层下面的金属层可以作为底部电极连接件。该电容器可以具有不同形状，诸如，圆柱形或凹形。可以使用许多种类的材料(Si3N4、ZrO2、HfO2、BTS...等)作为介电材料。在形成电路的其他无电容器逻辑件时，通过一个或两个额外的掩模形成该MIM电容器。本发明还提供了一种金属绝缘体金属电容器及制造方法。
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公开(公告)号：CN103094290A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210207827.0
申请日：2012-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/02129 , H01L21/223 , H01L21/2255 , H01L21/76224 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L31/09
Abstract: 本发明提供了一种半导体图像传感器器件。该图像传感器器件包括衬底。该图像传感器器件包括设置在衬底中的第一像素和第二像素。第一和第二像素是相邻的像素。该图像传感器器件包括设置在衬底中以及第一和第二像素之间的隔离结构。该图像传感器器件包括设置在衬底中以及第一和第二像素之间的掺杂隔离器件。该掺杂隔离器件以共形方式围绕隔离结构。本发明还提供了一种采用共形掺杂的图像传感器沟槽隔离。
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公开(公告)号：CN102956439A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210015271.5
申请日：2012-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L28/86 , H01L23/5223 , H01L28/40 , H01L28/90 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: MIM电容器的实施例可以被嵌入到厚的IMD层中，该厚IMD层的厚度(例如，至)足以得到高电容。该厚IMD层可以位于较薄的IMD层上面。MIM电容器可以形成在三个邻近的金属层之中，这些金属层具有两个将这三个邻近的金属层分隔开的厚的IMD层。材料(诸如，TaN或TiN)可以被用作为底部/顶部电极以及Cu阻挡物。厚IMD层上面的金属层可以作为顶部电极连接件。厚IMD层下面的金属层可以作为底部电极连接件。该电容器可以具有不同形状，诸如，圆柱形或凹形。可以使用许多种类的材料(Si3N4、ZrO2、HfO2、BTS...等)作为介电材料。在形成电路的其他无电容器逻辑件时，通过一个或两个额外的掩模形成该MIM电容器。本发明还提供了一种金属绝缘体金属电容器及制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101877244A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200910173956.0
申请日：2009-09-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C16/02 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/14 , H03K19/177
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0441 , H03K19/1776
Abstract: 一种非易失性存储器，包括连接到位线和字线上的第一互补金属氧化物半导体(CMOS)器件以及连接到第一CMOS器件上的第二CMOS器件。第二CMOS器件还连接到互补位线与互补字线上。第一CMOS器件和第二CMOS器件互相互补。输出节点连接在所述第一CMOS器件和所述第二CMOS器件之间。一种编程NV-FPGA的方法包括：连接信息处理系统到FPGA上，对FPGA中的多个存储单元执行块擦除，校验所述块擦除成功，对所述FPGA的上页进行编程，校验所述上页编程成功，对所述FPGA的下页进行编程，以及校验所述下页编程成功。
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公开(公告)号：CN104037139A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310239271.8
申请日：2013-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L23/488 , H01L25/00 , H01L27/146
CPC classification number: H01L24/09 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L2224/02375 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/06133 , H01L2224/06134 , H01L2224/06135 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/0901 , H01L2224/0903 , H01L2224/131 , H01L2224/16105 , H01L2224/80203 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/94 , H01L2225/06527 , H01L2924/01013 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2224/80 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
Abstract: 本发明公开了一种接合结构及其形成方法，其中一种封装件，其包括第一封装元件和第二封装元件。第一细长接合焊盘位于第一封装元件表面，第一细长接合焊盘具有沿第一纵向的第一长度和小于第一长度的第一宽度。第二细长接合焊盘位于第二封装元件表面。第二细长接合焊盘与第一细长接合焊盘接合。第二细长接合焊盘具有沿第二纵向的第二长度和小于第二长度的第二宽度。第二纵向与第一纵向不平行。
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公开(公告)号：CN101877244B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN200910173956.0
申请日：2009-09-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C16/02 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/14 , H03K19/177
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0441 , H03K19/1776
Abstract: 一种非易失性存储器，包括连接到位线和字线上的第一互补金属氧化物半导体(CMOS)器件以及连接到第一CMOS器件上的第二CMOS器件。第二CMOS器件还连接到互补位线与互补字线上。第一CMOS器件和第二CMOS器件互相互补。输出节点连接在所述第一CMOS器件和所述第二CMOS器件之间。一种编程NV-FPGA的方法包括：连接信息处理系统到FPGA上，对FPGA中的多个存储单元执行块擦除，校验所述块擦除成功，对所述FPGA的上页进行编程，校验所述上页编程成功，对所述FPGA的下页进行编程，以及校验所述下页编程成功。
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公开(公告)号：CN103094290B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210207827.0
申请日：2012-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/02129 , H01L21/223 , H01L21/2255 , H01L21/76224 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L31/09
Abstract: 本发明提供了一种半导体图像传感器器件。该图像传感器器件包括衬底。该图像传感器器件包括设置在衬底中的第一像素和第二像素。第一和第二像素是相邻的像素。该图像传感器器件包括设置在衬底中以及第一和第二像素之间的隔离结构。该图像传感器器件包括设置在衬底中以及第一和第二像素之间的掺杂隔离器件。该掺杂隔离器件以共形方式围绕隔离结构。本发明还提供了一种采用共形掺杂的图像传感器沟槽隔离。
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公开(公告)号：CN104037139B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310239271.8
申请日：2013-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L23/488 , H01L25/00 , H01L27/146
CPC classification number: H01L24/09 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L2224/02375 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/06133 , H01L2224/06134 , H01L2224/06135 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/0901 , H01L2224/0903 , H01L2224/131 , H01L2224/16105 , H01L2224/80203 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/94 , H01L2225/06527 , H01L2924/01013 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2224/80 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
Abstract: 本发明公开了一种接合结构及其形成方法，其中一种封装件，其包括第一封装元件和第二封装元件。第一细长接合焊盘位于第一封装元件表面，第一细长接合焊盘具有沿第一纵向的第一长度和小于第一长度的第一宽度。第二细长接合焊盘位于第二封装元件表面。第二细长接合焊盘与第一细长接合焊盘接合。第二细长接合焊盘具有沿第二纵向的第二长度和小于第二长度的第二宽度。第二纵向与第一纵向不平行。
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