公开(公告)号：CN110660726A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910243387.6

申请日：2019-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈靖怡 ,  卢炜业 ,  陈泓旭 ,  张志维

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本公开涉及半导体装置及其形成方法。在接触插塞的黏合层上使用氮等离子体处理，氮等离子体处理的结果为氮并入到黏合层中。当接触插塞沉积在开口中时，在接触插塞和黏合层之间形成金属氮化物中间层。在绝缘层中的开口上使用氮等离子体处理，氮等离子体处理的结果为氮并入到开口处的绝缘层中。当接触插塞沉积在开口中时，在接触插塞和绝缘层之间形成金属氮化物中间层。

公开(公告)号：CN112309959A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201911017657.8

申请日：2019-10-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈靖怡 ,  林圣轩 ,  卢炜业 ,  陈泓旭 ,  张志维

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开涉及集成电路结构及其制造方法。一种方法包括蚀刻衬底的电介质层以在电介质层中形成开口，形成延伸到开口中的金属层，执行退火工艺，使得金属层的底部与在金属层下面的半导体区域反应，以形成源极/漏极区域，使用包含氢气和含氮气体的工艺气体对衬底执行等离子体处理工艺，以形成含硅和氮的层，以及在含硅和氮的层上沉积金属材料。

公开(公告)号：CN110660726B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201910243387.6

申请日：2019-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈靖怡 ,  卢炜业 ,  陈泓旭 ,  张志维

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本公开涉及半导体装置及其形成方法。在接触插塞的黏合层上使用氮等离子体处理，氮等离子体处理的结果为氮并入到黏合层中。当接触插塞沉积在开口中时，在接触插塞和黏合层之间形成金属氮化物中间层。在绝缘层中的开口上使用氮等离子体处理，氮等离子体处理的结果为氮并入到开口处的绝缘层中。当接触插塞沉积在开口中时，在接触插塞和绝缘层之间形成金属氮化物中间层。

公开(公告)号：CN116314030A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202210795276.8

申请日：2022-07-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张佩珊 ,  赵翊翔 ,  黄俊贤 ,  徐鹏皓 ,  李佳杰 ,  张淑兰 ,  郑雅忆 ,  陈靖怡 ,  林威戎 ,  张志维 ,  蔡明兴

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开涉及半导体器件的接触件特征及其形成方法。一种方法包括在源极/漏极区域之上形成电介质层。在电介质层中形成开口。开口暴露源极/漏极区域的一部分。在开口的侧壁和底部上形成导电内衬。对导电内衬的暴露表面执行表面改性工艺。表面改性工艺在导电内衬之上形成表面涂层。去除表面涂层，以暴露导电内衬。从开口的侧壁去除导电内衬。以自下而上的方式用导电材料填充开口。导电材料与导电内衬的剩余部分和电介质层实体接触。

公开(公告)号：CN220172124U

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202321174513.5

申请日：2023-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵翊翔 ,  张淑兰 ,  陈靖怡 ,  叶士维 ,  张佩珊 ,  郑雅忆 ,  葛于臣 ,  王毓萱 ,  黄俊贤 ,  许宏彰 ,  张志维 ,  蔡明兴 ,  林威戎

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体装置，包括由介电材料的多个侧壁所划定的凹洞；一导电结构，接壤(bordering)于该凹洞的底部；一层或多层材料，于该凹洞中且直接位于该导电结构上及直接位于该介电材料的该侧壁上，其中所述一层或多层材料包括阻障金属；及导电插塞，于该凹洞中且直接位于所述一层或多层材料上且直接位于该介电材料的该侧壁上。