公开(公告)号：CN109585395A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810386708.3

申请日：2018-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  陈岱璋 ,  陆湘台 ,  刘献文 ,  林志贤 ,  洪士庭 ,  庄博尧

IPC: H01L23/367

Abstract: 本发明实施例公开多种集成扇出型封装及其形成方法。一种集成扇出型封装包括第一半导体芯片、多个集成扇出型穿孔、包封层及重布线层结构。所述第一半导体芯片包括散热层，且所述散热层覆盖第一半导体芯片的第一表面的至少百分之三十。所述集成扇出型穿孔位于第一半导体芯片旁边。所述包封层包封集成扇出型穿孔。所述重布线层结构位于第一半导体芯片的第一侧且热连接到第一半导体芯片的散热层。

公开(公告)号：CN108336073A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201711240557.2

申请日：2017-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆湘台 ,  陈硕懋 ,  王敏哲 ,  许峰诚 ,  杨肇祥 ,  郑心圃 ,  洪成佾 ,  林志贤 ,  陈岱璋 ,  林振华

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/544 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法，所述制作方法包含：形成重布层RDL；在所述RDL上方形成导电部件；通过所述导电部件执行第一电测试；在所述RDL上方放置第一裸片；通过所述导电部件执行第二电测试；及在所述第一裸片及所述导电部件上方放置第二裸片。

公开(公告)号：CN108336073B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201711240557.2

申请日：2017-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆湘台 ,  陈硕懋 ,  王敏哲 ,  许峰诚 ,  杨肇祥 ,  郑心圃 ,  洪成佾 ,  林志贤 ,  陈岱璋 ,  林振华

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/544 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法，所述制作方法包含：形成重布层RDL；在所述RDL上方形成导电部件；通过所述导电部件执行第一电测试；在所述RDL上方放置第一裸片；通过所述导电部件执行第二电测试；及在所述第一裸片及所述导电部件上方放置第二裸片。