公开(公告)号：CN108336073A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201711240557.2

申请日：2017-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆湘台 ,  陈硕懋 ,  王敏哲 ,  许峰诚 ,  杨肇祥 ,  郑心圃 ,  洪成佾 ,  林志贤 ,  陈岱璋 ,  林振华

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/544 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法，所述制作方法包含：形成重布层RDL；在所述RDL上方形成导电部件；通过所述导电部件执行第一电测试；在所述RDL上方放置第一裸片；通过所述导电部件执行第二电测试；及在所述第一裸片及所述导电部件上方放置第二裸片。

公开(公告)号：CN108336073B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201711240557.2

申请日：2017-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆湘台 ,  陈硕懋 ,  王敏哲 ,  许峰诚 ,  杨肇祥 ,  郑心圃 ,  洪成佾 ,  林志贤 ,  陈岱璋 ,  林振华

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/544 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法，所述制作方法包含：形成重布层RDL；在所述RDL上方形成导电部件；通过所述导电部件执行第一电测试；在所述RDL上方放置第一裸片；通过所述导电部件执行第二电测试；及在所述第一裸片及所述导电部件上方放置第二裸片。

公开(公告)号：CN1983587A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610074464.2

申请日：2006-04-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡豪益 ,  杨肇祥 ,  侯上勇 ,  蔡佳伦 ,  郑心圃

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有热传导路径的半导体结构及其形成方法。此半导体结构包括在半导体基板上形成保护环，且基本上围住激光熔丝结构。此激光熔丝结构包括激光熔丝及接点结构，可连接此激光熔丝至集成电路。通过上述的接点结构可将保护环热耦接至半导体基板。半导体结构还包括金属板，可将激光束产生的热能传导至保护环。利用本发明，可有效地改变激光程序的热传导路径，及减少传导至下方低介电常数层的热，以防止各层的剥落。

公开(公告)号：CN100495705C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200610094034.7

申请日：2006-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨肇祥

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/3192 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体组件、封环结构及其形成方法，该封环结构介于集成电路与切割道之间。在一实施例中，封环结构包括基板；多层金属导线，位于基板上；多多个导孔插塞，贯穿金属导线之间的介电层，并电连接金属导线；第一保护层，位于金属导线上，且具有开口以暴露部分最上层的金属导线；单个或多个金属焊垫，紧贴第一保护层的开口；以及第二保护层，位于第一保护层上并封住金属焊垫，且该第二保护层具有沟槽露出最上层的金属导线。本发明提供的封环结构可有效解决切割晶片时产生的应力问题，避免应力损伤芯片的集成电路同时提高合格率。

公开(公告)号：CN100477201C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610074464.2

申请日：2006-04-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡豪益 ,  杨肇祥 ,  侯上勇 ,  蔡佳伦 ,  郑心圃

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有热传导路径的半导体结构及其形成方法。此半导体结构包括在半导体基板上形成保护环，且基本上围住激光熔丝结构。此激光熔丝结构包括激光熔丝及接点结构，可连接此激光熔丝至集成电路。通过上述的接点结构可将保护环热耦接至半导体基板。半导体结构还包括金属板，可将激光束产生的热能传导至保护环。利用本发明，可有效地改变激光程序的热传导路径，及减少传导至下方低介电常数层的热，以防止各层的剥落。

公开(公告)号：CN101000909A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200610094034.7

申请日：2006-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨肇祥

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/3192 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体组件、封环结构及其形成方法，该封环结构介于集成电路与切割道之间。在一实施例中，封环结构包括基板；多层金属导线，位于基板上；多个导孔插塞，贯穿金属导线之间的介电层，并电连接金属导线；第一保护层，位于金属导线上，且具有开口以暴露部分最上层的金属导线；单个或多个金属焊垫，紧贴第一保护层的开口；以及第二保护层，位于第一保护层上并封住金属焊垫，且在最上层金属导线上或介电层上具有沟槽。本发明提供的封环结构可有效解决切割晶片时产生的应力问题，避免应力损伤芯片的集成电路同时提高合格率。