公开(公告)号：CN116779443A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310237544.9

申请日：2023-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚宣孝 ,  萧柏铠 ,  林范诚 ,  黄才育 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 在一个实施例中，揭露一种半导体装置及其形成的方法，形成半导体装置的方法包含：形成第一氧化层于半导体鳍片结构上方；进行第一氮化工艺以将第一氧化层转化为氮氧化层；沉积含硅层于氮氧化层上方；对含硅层进行第一退火，其中在进行第一退火之后，氮氧化层在与半导体鳍片结构的界面处的氮原子浓度高于在氮氧化层的主体区中的氮原子浓度；以及形成虚置栅极结构于含硅层上方。

公开(公告)号：CN112563203A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011024428.1

申请日：2020-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨思齐 ,  简鹤年 ,  丁振庭 ,  林建智 ,  李建志 ,  林士豪 ,  李宗鸿 ,  叶致锴 ,  黄才育 ,  萧柏铠

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体装置的制造方法。根据一实施例的方法，包括形成由第一半导体材料形成的一第一鳍部以及由不同于第一半导体材料的第二半导体材料形成的一第二鳍部于一基底上；形成一半导体盖层于第一鳍部及第二鳍部上；以及在露出半导体盖层的至少一部分的同时，于第一温度下对半导体盖层进行退火。

公开(公告)号：CN118841445A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410822714.4

申请日：2024-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧柏铠 ,  陈政纬 ,  陈怡婷 ,  何佩仓 ,  曾维扬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置包括半导体鳍状物。半导体装置包括第一氧化硅层，第一氧化硅层在第一界面处接触该半导体鳍状物且包括第一浓度的氮。半导体装置包括第二氧化硅层，第二氧化硅层在第二界面处接触第一氧化硅层且包括第二浓度的氮，第二浓度大于第一浓度。而且，半导体装置进一步包括在第二氧化硅层上方的栅极电极。

公开(公告)号：CN114520149A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202110306927.8

申请日：2021-03-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧柏铠 ,  陈翰德 ,  黄才育 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本公开涉及沉积和氧化硅内衬以用于形成隔离区域。一种方法包括：蚀刻半导体衬底以形成沟槽和半导体条带。该半导体条带的侧壁暴露于沟槽。该方法还包括沉积延伸到沟槽中的含硅层，其中，该含硅层在半导体条带的侧壁上延伸；用电介质材料填充沟槽，其中，电介质材料位于含硅层的侧壁上；以及氧化含硅层以形成内衬。该内衬包括氧化的硅。该内衬和电介质材料形成隔离区域的一些部分。该隔离区域凹陷，使得所述半导体条带中突出高于隔离区域的顶表面的部分形成半导体鳍。

公开(公告)号：CN107134493A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201611087885.9

申请日：2016-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政达 ,  王廷君 ,  林钰庭 ,  何柏慷 ,  萧柏铠

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种鳍式场效晶体管，包括：衬底、多个隔离结构、多个阻挡层以与栅极叠层结构。衬底具有多个半导体鳍片。隔离结构位在衬底上，以隔离半导体鳍片。另外，半导体鳍片突出于隔离结构。阻挡层位在隔离结构与半导体鳍片之间。阻挡层的材料与隔离结构的材料不同。栅极叠层结构横跨过部分半导体鳍片、部分所述阻挡层以及部分所述隔离结构。另外，也提供一种鳍式场效晶体管的制造方法。