公开(公告)号：CN106898648B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201611100581.1

申请日：2016-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪圣强 ,  吕宗哲 ,  张志福

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括：衬底、鳍结构、金属栅极和第一多晶硅条。鳍结构位于衬底上。金属栅极在鳍结构上方且基本上垂直于鳍结构。第一多晶硅条在鳍结构的第一边缘处且基本上平行于金属栅极。本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN106898648A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201611100581.1

申请日：2016-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪圣强 ,  吕宗哲 ,  张志福

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28114 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括：衬底、鳍结构、金属栅极和第一多晶硅条。鳍结构位于衬底上。金属栅极在鳍结构上方且基本上垂直于鳍结构。第一多晶硅条在鳍结构的第一边缘处且基本上平行于金属栅极。本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN104916578A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410213775.7

申请日：2014-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧茹雄 ,  张志福 ,  王仁磐

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及形成后段制程（BEOL）金属化层的方法和相关联的装置，BEOL金属化层具有设置在相邻的金属互连部件之间的气隙，气隙提供具有低介电常数的层间介电材料。在一些实施例中，通过在衬底上方的牺牲介电层内形成金属互连层来实施该方法。去除牺牲介电层以形成在金属互连层的第一部件和第二部件之间的延伸凹槽。在凹槽的侧壁和底面上形成保护衬层，然后以在金属互连层的第一部件和第二部件之间的位置处形成气隙的方式，在凹槽内沉积再分布ILD层。该气隙降低了金属互连层的第一部件和第二部件之间的介电常数。本发明涉及用于BEOL工艺的气隙方案。

公开(公告)号：CN115377059A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210557185.0

申请日：2022-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡曜任 ,  张志福 ,  洪圣强 ,  柯锦源

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/64 ,  H01L21/768

Abstract: 描述了互连结构及其形成方法。在一些实施例中，结构包括：第一金属间介电(IMD)层，设置在多个导电部件上方；以及第一无源组件，设置在衬底的第一区域中的第一IMD层上。结构还包括：第二无源组件，设置在衬底的第二区域中的第一IMD层上。第二无源组件包括第一导电层，并且第一导电层具有第一厚度。结构还包括：第二IMD层，设置在第一区域中的第一无源组件上以及第二区域中的第二无源组件和部分第一IMD层上。第二IMD层具有范围在从第一厚度的约五倍至约20倍的第二厚度。

公开(公告)号：CN104916578B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201410213775.7

申请日：2014-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧茹雄 ,  张志福 ,  王仁磐

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及形成后段制程（BEOL）金属化层的方法和相关联的装置，BEOL金属化层具有设置在相邻的金属互连部件之间的气隙，气隙提供具有低介电常数的层间介电材料。在一些实施例中，通过在衬底上方的牺牲介电层内形成金属互连层来实施该方法。去除牺牲介电层以形成在金属互连层的第一部件和第二部件之间的延伸凹槽。在凹槽的侧壁和底面上形成保护衬层，然后以在金属互连层的第一部件和第二部件之间的位置处形成气隙的方式，在凹槽内沉积再分布ILD层。该气隙降低了金属互连层的第一部件和第二部件之间的介电常数。本发明涉及用于BEOL工艺的气隙方案。

公开(公告)号：CN100432293C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200510070984.1

申请日：2005-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志福 ,  陈彦秀 ,  林鸿仁 ,  金明铸 ,  苏庆煌 ,  黄智睦 ,  张沄

IPC: C23C30/00 ,  C23C28/00

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明是有关于一种低温在基材上沉积金属薄膜的方法，适用于金属/绝缘体/金属(MIM)电容元件的制程中。利用小于270℃的沉积温度在基材上沉积金属薄膜，使该金属薄膜具有较佳的均匀性，并且可避免金属薄膜的晶粒形成结块，提高电容元件或是其他设有该金属薄膜的元件的运作完整性。此外本发明的金属薄膜可改善内在的崩溃电压。

公开(公告)号：CN1699624A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510070984.1

申请日：2005-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志福 ,  陈彦秀 ,  林鸿仁 ,  金明铸 ,  苏庆煌 ,  黄智睦 ,  张沄

IPC: C23C30/00 ,  C23C28/00

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明是有关于一种低温在基材上沉积金属薄膜的方法，适用于金属/绝缘体/金属(MIM)电容元件的制程中。利用小于270℃的沉积温度在基材上沉积金属薄膜，使该金属薄膜具有较佳的均匀性，并且可避免金属薄膜的晶粒形成结块，提高电容元件或是其他设有该金属薄膜的元件的运作完整性。此外本发明的金属薄膜可改善内在的崩溃电压。