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发明公开
互连结构及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN115377059A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210557185.0

申请日：2022-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡曜任 , 张志福 , 洪圣强 , 柯锦源

IPC: H01L23/528 , H01L23/64 , H01L21/768

Abstract: 描述了互连结构及其形成方法。在一些实施例中，结构包括：第一金属间介电(IMD)层，设置在多个导电部件上方；以及第一无源组件，设置在衬底的第一区域中的第一IMD层上。结构还包括：第二无源组件，设置在衬底的第二区域中的第一IMD层上。第二无源组件包括第一导电层，并且第一导电层具有第一厚度。结构还包括：第二IMD层，设置在第一区域中的第一无源组件上以及第二区域中的第二无源组件和部分第一IMD层上。第二IMD层具有范围在从第一厚度的约五倍至约20倍的第二厚度。

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