公开(公告)号：CN1622314A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410091664.X

申请日：2004-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄智睦 ,  金明铸 ,  张沄

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10805 ,  H01L27/10888

Abstract: 本发明提供一种单一晶体管平面随机存取存储单元与其形成方法，以其改善电荷保存能力，此方法包括形成通栅晶体管结构与储存电容结构，此通栅晶体管结构与此储存电容结构邻接且藉一预定距离分开；进行第一离子布植制程以形成第一掺杂区与第二掺杂区，此第一掺杂区是由上述预定距离所定义；沉积间隙壁介电层；回蚀刻上述间隙壁介电层，以形成一预定宽度的侧壁间隙壁于上述第二掺杂区的第一部分上，同时也留下未蚀刻间隙壁介电质部分于上述第一掺杂区上；以及进行第二离子布植制程以在上述第二掺杂区的一第二部分中形成一相对高掺杂质浓度。

公开(公告)号：CN101165922A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710145334.8

申请日：2007-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈朝祺 ,  金明铸 ,  周振成

IPC: H01L29/92 ,  H01L23/522 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种堆叠式金属－氧化物－金属(MOM)电容器结构及其制造方法，以增加电极/电容器介电耦合面积，并借以增加电容，此金属－氧化物－金属电容器结构包括多个金属化层，呈堆叠关系；其中每一金属化层包括实质平行且分隔开的多个导电电极线部分，且这些导电电极线部分至少包括一第一中介电容器介电质；以及其中这些导电电极线部分借由多个导电镶嵌线部分而电性交互连接在金属化层之间，且导电镶嵌线部分形成于一第二电容器介电质中且位于这些导电电极线部分的下方。本发明在微缩化金属－氧化物－金属结构的同时，获得较高电容值。

公开(公告)号：CN100397649C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200510088873.3

申请日：2005-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄智睦 ,  金明铸 ,  张沄

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/1085 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873

Abstract: 本发明是有关于一种单一晶体管平面动态随机存取记忆体记忆胞及其制造方法，其具有增进的电荷保存时间与减少的漏电流。此方法至少包括提供一半导体基材，再于半导体基材上形成一闸极介电层。于闸极介电层上形成一平移晶体管结构，此平移晶体管结构相邻于一储存电容结构。于相邻于平移晶体管结构的各一侧形成复数个侧壁间隙壁介电层部分，以包括覆盖平移晶体管结构与储存电容结构间的一空间。形成一部分光阻罩幕覆盖平移晶体管结构，并暴露储存电容结构。进行一p型离子植入与趋入制程，以在储存电容结构下方的半导体基材中形成一p型掺杂通道区。具有减少的寄生漏电流、增进的电荷保存时间以及在操作电压上增进的效能。

公开(公告)号：CN1728390A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510088873.3

申请日：2005-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄智睦 ,  金明铸 ,  张沄

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/1085 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873

Abstract: 本发明是有关于一种单一晶体管平面动态随机存取记忆体记忆胞及其制造方法，其具有增进的电荷保存时间与减少的漏电流。此方法至少包括提供一半导体基材，再于半导体基材上形成一闸极介电层。于闸极介电层上形成一平移晶体管结构，此平移晶体管结构相邻于一储存电容结构。于相邻于平移晶体管结构的各一侧形成复数个侧壁间隙壁介电层部分，以包括覆盖平移晶体管结构与储存电容结构间的一空间。形成一部分光阻罩幕覆盖平移晶体管结构，并暴露储存电容结构。进行一p型离子植入与趋入制程，以在储存电容结构下方的半导体基材中形成一p型掺杂通道区。具有减少的寄生漏电流、增进的电荷保存时间以及在操作电压上增进的效能。

公开(公告)号：CN100432293C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200510070984.1

申请日：2005-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志福 ,  陈彦秀 ,  林鸿仁 ,  金明铸 ,  苏庆煌 ,  黄智睦 ,  张沄

IPC: C23C30/00 ,  C23C28/00

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明是有关于一种低温在基材上沉积金属薄膜的方法，适用于金属/绝缘体/金属(MIM)电容元件的制程中。利用小于270℃的沉积温度在基材上沉积金属薄膜，使该金属薄膜具有较佳的均匀性，并且可避免金属薄膜的晶粒形成结块，提高电容元件或是其他设有该金属薄膜的元件的运作完整性。此外本发明的金属薄膜可改善内在的崩溃电压。

公开(公告)号：CN1699624A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510070984.1

申请日：2005-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志福 ,  陈彦秀 ,  林鸿仁 ,  金明铸 ,  苏庆煌 ,  黄智睦 ,  张沄

IPC: C23C30/00 ,  C23C28/00

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明是有关于一种低温在基材上沉积金属薄膜的方法，适用于金属/绝缘体/金属(MIM)电容元件的制程中。利用小于270℃的沉积温度在基材上沉积金属薄膜，使该金属薄膜具有较佳的均匀性，并且可避免金属薄膜的晶粒形成结块，提高电容元件或是其他设有该金属薄膜的元件的运作完整性。此外本发明的金属薄膜可改善内在的崩溃电压。

公开(公告)号：CN2791884Y

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200420118171.6

申请日：2004-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄智睦 ,  金明铸 ,  张沄

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10805 ,  H01L27/10888

Abstract: 本实用新型提供一种单一晶体管平面随机存取存储单元，以其改善电荷保存能力，包括一通栅晶体管结构与一储存晶体管结构形成于一硅基底上，且此通栅晶体管结构与此储存晶体管结构分开，以在一第一掺杂区形成一空间距离；以及一侧壁间隙壁材料邻近于上述通栅晶体管结构的两侧，且此侧壁间隙壁材料覆盖部分一第二掺杂区且完全覆盖上述第一掺杂区。