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公开(公告)号：CN112242489B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202010041201.1
申请日：2020-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 麦特西亚斯·帕斯拉克 , 马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 , 堤姆斯·文森 , 乔治·瓦伦提斯
Abstract: 在形成全环栅场效应晶体管(GAA FET)的方法中，形成鳍结构。鳍结构包括多个堆叠结构，每个堆叠结构包括介电层、位于介电层上方的CNT、位于CNT上方的支撑层。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构，形成隔离绝缘层，通过图案化隔离绝缘层来形成源极/漏极开口，从源极/漏极开口中的多个堆叠结构的每个去除支撑层，并且在源极/漏极开口中形成源极/漏极接触层。形成源极/漏极接触件，使得源极/漏极接触件仅与CNT的部分直接接触，并且介电层的部分设置在源极/漏极接触件与CNT之间。本发明的实施例还涉及具有全环栅场效应晶体管的半导体器件。
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公开(公告)号：CN111128734B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201910868922.7
申请日：2019-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 布兰丁·迪里耶 , 马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 , 马丁·克里斯多夫·霍兰德 , 荷尔本·朵尔伯斯 , 乔治·瓦伦提斯 , 堤姆斯·文森
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 在制造半导体器件的方法中，在半导体层的沟道区域上方形成伪栅极结构，在伪栅极结构的相对侧上形成源极/漏极外延层，对源极/漏极外延层实施平坦化操作，图案化平坦化的源极/漏极外延层，去除伪栅极结构以形成栅极间隔，以及在栅极间隔中形成金属栅极结构。本发明的实施例还涉及半导体器件。
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公开(公告)号：CN112447853A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010921491.9
申请日：2020-09-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 荷尔本·朵尔伯斯 , 马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 , 堤姆斯·文森
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/06
Abstract: 在形成全环栅场效应晶体管(GAA FET)的方法中，形成包括嵌入在半导体层中的CNT的鳍结构，在鳍结构上方形成牺牲栅极结构，在鳍结构的源极/漏极区处掺杂半导体层，形成隔离绝缘层，通过图案化隔离绝缘层形成源极/漏极开口，以及在鳍结构的掺杂的源极/漏极区上方形成源极/漏极接触层。本发明的实施例还涉及具有场效应晶体管的半导体器件。
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公开(公告)号：CN112447853B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202010921491.9
申请日：2020-09-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 荷尔本·朵尔伯斯 , 马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 , 堤姆斯·文森
Abstract: 在形成全环栅场效应晶体管(GAA FET)的方法中，形成包括嵌入在半导体层中的CNT的鳍结构，在鳍结构上方形成牺牲栅极结构，在鳍结构的源极/漏极区处掺杂半导体层，形成隔离绝缘层，通过图案化隔离绝缘层形成源极/漏极开口，以及在鳍结构的掺杂的源极/漏极区上方形成源极/漏极接触层。本发明的实施例还涉及具有场效应晶体管的半导体器件。
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公开(公告)号：CN110875430B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910306008.3
申请日：2019-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 堤姆斯·文森 , 马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 , 荷尔本·朵尔伯斯 , 麦特西亚斯·帕斯拉克
Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成全环栅(GAA)FET的方法以及具有GAA FET的半导体器件。在形成全环栅场效应晶体管(GAA FET)的方法中，在衬底上方形成底部支撑层，并且在底部支撑层上方设置第一组碳纳米管(CNT)。在第一组CNT和底部支撑层上方形成第一支撑层，从而使得第一组CNT嵌入到第一支撑层中。在第一支撑层上方设置第二组碳纳米管(CNT)。在第二组CNT和第一支撑层上方形成第二支撑层，从而使得第二组CNT嵌入到第二支撑层中。通过至少图案化第一支撑层和第二支撑层来形成鳍结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110660848A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910093346.3
申请日：2019-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 堤姆斯·文森 , 荷尔本·朵尔伯斯 , 麦特西亚斯·帕斯拉克
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本揭露描述一种穿隧场效晶体管装置，其包含P-I-N异质接面结构。高介电常数介电层与金属栅极围绕本质通道层，中间层位在高介电常数介电层与P-I-N异质接面的本质通道层之间。在陷阱辅助穿隧效应下，中间层避免了电荷载子经由高介电常数介电层，到达穿隧效应发生的界面，因而减少了关闭状态下的电流泄漏。
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公开(公告)号：CN112242489A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010041201.1
申请日：2020-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 麦特西亚斯·帕斯拉克 , 马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 , 堤姆斯·文森 , 乔治·瓦伦提斯
Abstract: 在形成全环栅场效应晶体管(GAA FET)的方法中，形成鳍结构。鳍结构包括多个堆叠结构，每个堆叠结构包括介电层、位于介电层上方的CNT、位于CNT上方的支撑层。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构，形成隔离绝缘层，通过图案化隔离绝缘层来形成源极/漏极开口，从源极/漏极开口中的多个堆叠结构的每个去除支撑层，并且在源极/漏极开口中形成源极/漏极接触层。形成源极/漏极接触件，使得源极/漏极接触件仅与CNT的部分直接接触，并且介电层的部分设置在源极/漏极接触件与CNT之间。本发明的实施例还涉及具有全环栅场效应晶体管的半导体器件。
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公开(公告)号：CN111200064A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911129705.2
申请日：2019-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 堤姆斯·文森 , 马库斯琼斯亨利库斯·范达尔 , 荷尔本·朵尔伯斯
Abstract: 一种形成环绕式栅极场效晶体管的方法，包括以下步骤。形成环绕纳米碳管的通道部分的栅极结构。形成环绕纳米碳管的源极/漏极延伸部分的内部间隔物，源极/漏极延伸部分自纳米碳管的通道部分向外延伸。内部间隔物包括形成界面偶极子的两个介电层。界面偶极子将掺杂引入至纳米碳管的源极/漏极延伸部分。
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公开(公告)号：CN110875430A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910306008.3
申请日：2019-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 堤姆斯·文森 , 马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 , 荷尔本·朵尔伯斯 , 麦特西亚斯·帕斯拉克
Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成全环栅(GAA)FET的方法以及具有GAA FET的半导体器件。在形成全环栅场效应晶体管(GAA FET)的方法中，在衬底上方形成底部支撑层，并且在底部支撑层上方设置第一组碳纳米管(CNT)。在第一组CNT和底部支撑层上方形成第一支撑层，从而使得第一组CNT嵌入到第一支撑层中。在第一支撑层上方设置第二组碳纳米管(CNT)。在第二组CNT和第一支撑层上方形成第二支撑层，从而使得第二组CNT嵌入到第二支撑层中。通过至少图案化第一支撑层和第二支撑层来形成鳍结构。
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公开(公告)号：CN111243957A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911166166.X
申请日：2019-11-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 马库斯琼斯亨利库斯·范达尔 , 堤姆斯·文森 , 荷尔本·朵尔伯斯
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L27/092 , H01L29/06
Abstract: 本揭示案描述了形成环绕栅极场效应晶体管的方法，用于形成半导体结构的技术，此半导体结构具有被配置为通道部分的多个半导体条。在半导体结构中，扩散中断结构在栅极结构形成之后形成，使得邻近扩散中断结构的半导体条的结构完整性不会被随后的栅极形成制程损害。扩散中断从上表面向下延伸，直到相邻通道部分的所有半导体条被扩散中断截断。
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