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公开(公告)号：CN112242489A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010041201.1
申请日：2020-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 麦特西亚斯·帕斯拉克 , 马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 , 堤姆斯·文森 , 乔治·瓦伦提斯
Abstract: 在形成全环栅场效应晶体管(GAA FET)的方法中，形成鳍结构。鳍结构包括多个堆叠结构，每个堆叠结构包括介电层、位于介电层上方的CNT、位于CNT上方的支撑层。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构，形成隔离绝缘层，通过图案化隔离绝缘层来形成源极/漏极开口，从源极/漏极开口中的多个堆叠结构的每个去除支撑层，并且在源极/漏极开口中形成源极/漏极接触层。形成源极/漏极接触件，使得源极/漏极接触件仅与CNT的部分直接接触，并且介电层的部分设置在源极/漏极接触件与CNT之间。本发明的实施例还涉及具有全环栅场效应晶体管的半导体器件。
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公开(公告)号：CN112242489B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202010041201.1
申请日：2020-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 麦特西亚斯·帕斯拉克 , 马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 , 堤姆斯·文森 , 乔治·瓦伦提斯
Abstract: 在形成全环栅场效应晶体管(GAA FET)的方法中，形成鳍结构。鳍结构包括多个堆叠结构，每个堆叠结构包括介电层、位于介电层上方的CNT、位于CNT上方的支撑层。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构，形成隔离绝缘层，通过图案化隔离绝缘层来形成源极/漏极开口，从源极/漏极开口中的多个堆叠结构的每个去除支撑层，并且在源极/漏极开口中形成源极/漏极接触层。形成源极/漏极接触件，使得源极/漏极接触件仅与CNT的部分直接接触，并且介电层的部分设置在源极/漏极接触件与CNT之间。本发明的实施例还涉及具有全环栅场效应晶体管的半导体器件。
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公开(公告)号：CN111128734B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201910868922.7
申请日：2019-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 布兰丁·迪里耶 , 马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 , 马丁·克里斯多夫·霍兰德 , 荷尔本·朵尔伯斯 , 乔治·瓦伦提斯 , 堤姆斯·文森
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 在制造半导体器件的方法中，在半导体层的沟道区域上方形成伪栅极结构，在伪栅极结构的相对侧上形成源极/漏极外延层，对源极/漏极外延层实施平坦化操作，图案化平坦化的源极/漏极外延层，去除伪栅极结构以形成栅极间隔，以及在栅极间隔中形成金属栅极结构。本发明的实施例还涉及半导体器件。
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公开(公告)号：CN111128734A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910868922.7
申请日：2019-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 布兰丁·迪里耶 , 马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 , 马丁·克里斯多夫·霍兰德 , 荷尔本·朵尔伯斯 , 乔治·瓦伦提斯 , 堤姆斯·文森
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 在制造半导体器件的方法中，在半导体层的沟道区域上方形成伪栅极结构，在伪栅极结构的相对侧上形成源极/漏极外延层，对源极/漏极外延层实施平坦化操作，图案化平坦化的源极/漏极外延层，去除伪栅极结构以形成栅极间隔，以及在栅极间隔中形成金属栅极结构。本发明的实施例还涉及半导体器件。
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