公开(公告)号：CN111200064A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201911129705.2

申请日：2019-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 堤姆斯·文森 ,  马库斯琼斯亨利库斯·范达尔 ,  荷尔本·朵尔伯斯

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 一种形成环绕式栅极场效晶体管的方法，包括以下步骤。形成环绕纳米碳管的通道部分的栅极结构。形成环绕纳米碳管的源极/漏极延伸部分的内部间隔物，源极/漏极延伸部分自纳米碳管的通道部分向外延伸。内部间隔物包括形成界面偶极子的两个介电层。界面偶极子将掺杂引入至纳米碳管的源极/漏极延伸部分。

公开(公告)号：CN111243957A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201911166166.X

申请日：2019-11-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马库斯琼斯亨利库斯·范达尔 ,  堤姆斯·文森 ,  荷尔本·朵尔伯斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06

Abstract: 本揭示案描述了形成环绕栅极场效应晶体管的方法，用于形成半导体结构的技术，此半导体结构具有被配置为通道部分的多个半导体条。在半导体结构中，扩散中断结构在栅极结构形成之后形成，使得邻近扩散中断结构的半导体条的结构完整性不会被随后的栅极形成制程损害。扩散中断从上表面向下延伸，直到相邻通道部分的所有半导体条被扩散中断截断。

公开(公告)号：CN110957315A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910833080.1

申请日：2019-09-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 堤姆斯·文森 ,  荷尔本·朵尔伯斯 ,  马库斯琼斯亨利库斯·范达尔 ,  麦特西亚斯帕斯拉克

IPC: H01L27/092

Abstract: 提供可用于对准纳米碳管的晶圆，以及制备和使用纳米碳管的方法。这种晶圆包括具有四个侧边和表面电荷的对准区，其中对准区被具有不同极性的表面电荷的区域围绕。本揭露的一些实施方式的方法可以包括在基板上沉积并选择性地蚀刻多个硬罩幕。所述的方法还可以包括在这样的晶圆上沉积纳米碳管。