公开(公告)号：CN110690642A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910211329.5

申请日：2019-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  苏安治 ,  袁嘉男 ,  沈诗国 ,  叶德强 ,  林瑀宏 ,  叶名世

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/028 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

Abstract: 在实施例中，器件包括第一反射结构，包括半导体材料的第一掺杂层，交替的第一掺杂层中掺杂有p型掺杂剂；第二反射结构，包括半导体材料的第二掺杂层，交替的第二掺杂层中掺杂有n型掺杂剂；发射半导体区域，设置在第一反射结构和第二反射结构之间；在第二反射结构上的接触焊盘，接触焊盘的功函数小于第二反射结构的功函数；在接触焊盘上的接合层，接合层的功函数大于第二反射结构的功函数；以及在接合层上的导电连接器。本发明实施例涉及半导体器件和方法。

公开(公告)号：CN110690642B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201910211329.5

申请日：2019-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  苏安治 ,  袁嘉男 ,  沈诗国 ,  叶德强 ,  林瑀宏 ,  叶名世

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/042 ,  H01S5/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/02345 ,  H01S5/0237 ,  H01S5/323 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

Abstract: 在实施例中，器件包括第一反射结构，包括半导体材料的第一掺杂层，交替的第一掺杂层中掺杂有p型掺杂剂；第二反射结构，包括半导体材料的第二掺杂层，交替的第二掺杂层中掺杂有n型掺杂剂；发射半导体区域，设置在第一反射结构和第二反射结构之间；在第二反射结构上的接触焊盘，接触焊盘的功函数小于第二反射结构的功函数；在接触焊盘上的接合层，接合层的功函数大于第二反射结构的功函数；以及在接合层上的导电连接器。本发明实施例涉及半导体器件和方法。