公开(公告)号：CN112017971B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202010265226.X

申请日：2020-04-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宛谕 ,  林强 ,  林岳霆 ,  曾华伟 ,  黄立贤 ,  胡毓祥

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 形成集成电路器件的封装件的方法包括：形成重构晶圆，包括将器件管芯密封在密封剂中，在器件管芯和密封剂上方形成介电层，形成延伸至介电层中以电耦接至器件管芯的多条再分布线，以及在用于形成多条再分布线的常规工艺中形成金属环。金属环环绕多条再分布线，并且金属环延伸至重构晶圆的划线中。沿重构晶圆的划线实施管芯锯切工艺以将封装件从重构晶圆分离。封装件包括器件管芯和至少部分金属环。本发明的实施例还涉及集成电路器件的封装件。

公开(公告)号：CN107768351B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201710587367.1

申请日：2017-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  叶德强 ,  陈宪伟 ,  黄立贤 ,  林岳霆 ,  陈威宇 ,  苏安治

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 在一些实施例中，器件包括热机电(TEM)芯片，具有功能电路；第一管芯，附接至所述TEM芯片的第一侧面；第一通孔，位于所述TEM芯片的第一侧面上并且邻近所述第一管芯，所述第一通孔电连接至所述TEM芯片。所述器件还包括第一模制层，围绕所述TEM芯片、所述第一管芯和所述第一通孔，其中，所述第一管芯的上表面和所述第一通孔的上表面与所述第一模制层的上表面平齐。所述器件还包括第一再分布层，位于所述第一模制层的上表面上方并且电连接至所述第一通孔和所述第一管芯。本发明还提供了具有热机电芯片的半导体封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN109860136A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201810707996.8

申请日：2018-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄立贤 ,  林岳霆 ,  苏安治 ,  叶名世 ,  叶德强

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/50 ,  H01L21/54 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: 方法包括将第一管芯和第二管芯附接至载体；在第一管芯和第二管芯之间形成模塑料；以及在第一管芯、第二管芯和模塑料上方形成再分布结构，再分布结构包括第一再分布区域；第二再分布区域；以及位于第一再分布区域和第二再分布区域之间的切割区域。该方法还包括在切割区域中形成第一开口和第二开口，第一开口和第二开口延伸穿过再分布结构并且暴露模塑料；以及从模塑料的第二侧朝向模塑料的第一侧通过切割穿过模塑料的与切割区域对准的部分来分离第一管芯和第二管芯，第二侧与第一侧相对。本发明实施例涉及集成扇出封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN107768351A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710587367.1

申请日：2017-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  叶德强 ,  陈宪伟 ,  黄立贤 ,  林岳霆 ,  陈威宇 ,  苏安治

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10337 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L2224/0237

Abstract: 在一些实施例中，器件包括热机电(TEM)芯片，具有功能电路；第一管芯，附接至所述TEM芯片的第一侧面；第一通孔，位于所述TEM芯片的第一侧面上并且邻近所述第一管芯，所述第一通孔电连接至所述TEM芯片。所述器件还包括第一模制层，围绕所述TEM芯片、所述第一管芯和所述第一通孔，其中，所述第一管芯的上表面和所述第一通孔的上表面与所述第一模制层的上表面平齐。所述器件还包括第一再分布层，位于所述第一模制层的上表面上方并且电连接至所述第一通孔和所述第一管芯。本发明还提供了具有热机电芯片的半导体封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN115274469A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210868282.1

申请日：2018-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄立贤 ,  林岳霆 ,  苏安治 ,  叶名世 ,  叶德强

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L21/54 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485

Abstract: 方法包括将第一管芯和第二管芯附接至载体；在第一管芯和第二管芯之间形成模塑料；以及在第一管芯、第二管芯和模塑料上方形成再分布结构，再分布结构包括第一再分布区域；第二再分布区域；以及位于第一再分布区域和第二再分布区域之间的切割区域。该方法还包括在切割区域中形成第一开口和第二开口，第一开口和第二开口延伸穿过再分布结构并且暴露模塑料；以及从模塑料的第二侧朝向模塑料的第一侧通过切割穿过模塑料的与切割区域对准的部分来分离第一管芯和第二管芯，第二侧与第一侧相对。本发明实施例涉及集成扇出封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN112017971A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010265226.X

申请日：2020-04-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宛谕 ,  林强 ,  林岳霆 ,  曾华伟 ,  黄立贤 ,  胡毓祥

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 形成集成电路器件的封装件的方法包括：形成重构晶圆，包括将器件管芯密封在密封剂中，在器件管芯和密封剂上方形成介电层，形成延伸至介电层中以电耦接至器件管芯的多条再分布线，以及在用于形成多条再分布线的常规工艺中形成金属环。金属环环绕多条再分布线，并且金属环延伸至重构晶圆的划线中。沿重构晶圆的划线实施管芯锯切工艺以将封装件从重构晶圆分离。封装件包括器件管芯和至少部分金属环。本发明的实施例还涉及集成电路器件的封装件。

公开(公告)号：CN110783294A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910527925.4

申请日：2019-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢贯中 ,  苏安治 ,  叶德强 ,  黄立贤 ,  林岳霆 ,  叶名世

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括封装结构、第一管芯、第一围阻结构、预填充层及多个导电端子。封装结构包括附接区、位于附接区周围的排除区。第一管芯设置在附接区中的封装结构上且电连接到封装结构。第一围阻结构设置在封装结构的排除区内且环绕第一管芯。预填充层设置在封装结构与第一管芯之间且设置在第一围阻结构与第一管芯之间，其中预填充层被限制在第一围阻结构内。导电端子设置在封装结构上，分布在封装结构的排除区周围且电连接到封装结构。