公开(公告)号：CN110690642A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910211329.5

申请日：2019-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  苏安治 ,  袁嘉男 ,  沈诗国 ,  叶德强 ,  林瑀宏 ,  叶名世

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/028 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

Abstract: 在实施例中，器件包括第一反射结构，包括半导体材料的第一掺杂层，交替的第一掺杂层中掺杂有p型掺杂剂；第二反射结构，包括半导体材料的第二掺杂层，交替的第二掺杂层中掺杂有n型掺杂剂；发射半导体区域，设置在第一反射结构和第二反射结构之间；在第二反射结构上的接触焊盘，接触焊盘的功函数小于第二反射结构的功函数；在接触焊盘上的接合层，接合层的功函数大于第二反射结构的功函数；以及在接合层上的导电连接器。本发明实施例涉及半导体器件和方法。

公开(公告)号：CN110690642B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201910211329.5

申请日：2019-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  苏安治 ,  袁嘉男 ,  沈诗国 ,  叶德强 ,  林瑀宏 ,  叶名世

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/042 ,  H01S5/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/02345 ,  H01S5/0237 ,  H01S5/323 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

Abstract: 在实施例中，器件包括第一反射结构，包括半导体材料的第一掺杂层，交替的第一掺杂层中掺杂有p型掺杂剂；第二反射结构，包括半导体材料的第二掺杂层，交替的第二掺杂层中掺杂有n型掺杂剂；发射半导体区域，设置在第一反射结构和第二反射结构之间；在第二反射结构上的接触焊盘，接触焊盘的功函数小于第二反射结构的功函数；在接触焊盘上的接合层，接合层的功函数大于第二反射结构的功函数；以及在接合层上的导电连接器。本发明实施例涉及半导体器件和方法。

公开(公告)号：CN221201166U

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202322620164.1

申请日：2023-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志伟 ,  邱文智 ,  施应庆 ,  袁嘉男 ,  苏安治

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482

Abstract: 本实用新型实施例提供一种系统晶片(SoC)晶粒封装，所述系统晶片晶粒封装附接至半导体元件封装的重布线结构，使得SoC晶粒封装的顶部表面位于邻近记忆体晶粒封装的顶部表面上方。此可经由使用增加SoC晶粒封装的高度的各种附接结构来实现。在将记忆体晶粒封装及SoC晶粒封装密封于密封层中之后，向下研磨密封层。SoC晶粒封装的顶部表面位于邻近记忆体晶粒封装的顶部表面上方使得SoC晶粒封装的顶部表面在研磨操作之后经由密封层暴露。此使得热能够经由SoC晶粒封装的顶部表面耗散。