公开(公告)号：CN111834225B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202010287475.9

申请日：2020-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万幸仁 ,  蔡俊雄 ,  沙哈吉·B·摩尔 ,  许哲志 ,  苏劲宇 ,  曾柏翰 ,  洪文瀚 ,  林佑明 ,  柯志欣

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 在一种制造包括场效应晶体管(FET)的半导体器件的方法中，在衬底中形成牺牲区域，并且在衬底中形成沟槽。牺牲区域的部分暴露于沟槽中。通过至少部分地蚀刻牺牲区域来形成空间，在沟槽和空间中形成隔离绝缘层，并且形成栅极结构和源极/漏极区域。在源极/漏极区域下方的空间中形成空气间隔件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN113451510A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110230854.9

申请日：2021-03-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏勋 ,  许哲志 ,  黄文助 ,  苏劲宇 ,  陈彦羽 ,  华伟君 ,  洪文瀚

IPC: H01L49/02

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、位于该衬底上的第一导电层、第一导电通孔，以及位于该第一导电通孔与该衬底之间的另外的导电层和导电通孔。该第一导电通孔位于衬底与第一导电层之间，并且电连接到第一导电层。该第一导电通孔延伸穿过至少两个介电层，并且具有大于约8千埃的厚度。具有高品质因子的电感器形成在第一导电层中，并且还包括第一导电通孔。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN111834225A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010287475.9

申请日：2020-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万幸仁 ,  蔡俊雄 ,  沙哈吉·B·摩尔 ,  许哲志 ,  苏劲宇 ,  曾柏翰 ,  洪文瀚 ,  林佑明 ,  柯志欣

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 在一种制造包括场效应晶体管(FET)的半导体器件的方法中，在衬底中形成牺牲区域，并且在衬底中形成沟槽。牺牲区域的部分暴露于沟槽中。通过至少部分地蚀刻牺牲区域来形成空间，在沟槽和空间中形成隔离绝缘层，并且形成栅极结构和源极/漏极区域。在源极/漏极区域下方的空间中形成空气间隔件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。