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公开(公告)号：CN113451510A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110230854.9
申请日：2021-03-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L49/02
Abstract: 一种半导体器件包括衬底、位于该衬底上的第一导电层、第一导电通孔，以及位于该第一导电通孔与该衬底之间的另外的导电层和导电通孔。该第一导电通孔位于衬底与第一导电层之间，并且电连接到第一导电层。该第一导电通孔延伸穿过至少两个介电层，并且具有大于约8千埃的厚度。具有高品质因子的电感器形成在第一导电层中，并且还包括第一导电通孔。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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