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公开(公告)号：CN112530904A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011261322.3
申请日：2015-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及接触结构及其形成方法。一种结构包括位于衬底上方的介电层、粘合层、硅化物、阻挡层和导电材料。介电层具有至衬底的表面的开口。粘合层沿着开口的侧壁。硅化物位于衬底的表面上。阻挡层位于粘合层和硅化物上，并且阻挡层直接邻接硅化物。导电材料位于开口中的阻挡层上。
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公开(公告)号：CN105374794B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201410795262.1
申请日：2014-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种互连结构和形成互连结构的方法。互连结构包括位于衬底上方的接触层；位于接触层上方的介电层，其中，介电层具有开口，开口暴露接触层的部分；位于接触层的暴露部分上方的硅化物层；沿着开口的侧壁的阻挡层；位于阻挡层上方的合金层；位于合金层上方的胶合层以及位于胶合层上方的导电插塞。
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公开(公告)号：CN111261583B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201911205552.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种用于制造半导体器件的方法，包括：移除第一电介质层的一部分以形成由第一电介质层的侧壁限定的第一凹槽；在第一凹槽中形成第一导电层；移除第一导电层的一部分以形成由第一电介质层的侧壁限定的第二凹槽；在第二凹槽中形成第二导电层，其中，第二导电层与第一导电层接触；在第二导电层上方形成第二电介质层；移除第二电介质层的一部分以形成由第二电介质层的侧壁限定的第三凹槽，其中，第二导电层通过第三凹槽被暴露；以及在第三凹槽中形成第三导电层，其中，第三导电层与第二导电层接触。
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公开(公告)号：CN105374794A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410795262.1
申请日：2014-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/28518 , H01L21/32053 , H01L21/76802 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76877 , H01L21/76886 , H01L21/76889 , H01L21/76897 , H01L23/5226 , H01L23/53209 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53261 , H01L23/53266 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种互连结构和形成互连结构的方法。互连结构包括位于衬底上方的接触层；位于接触层上方的介电层，其中，介电层具有开口，开口暴露接触层的部分；位于接触层的暴露部分上方的硅化物层；沿着开口的侧壁的阻挡层；位于阻挡层上方的合金层；位于合金层上方的胶合层以及位于胶合层上方的导电插塞。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111261583A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911205552.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种用于制造半导体器件的方法，包括：移除第一电介质层的一部分以形成由第一电介质层的侧壁限定的第一凹槽；在第一凹槽中形成第一导电层；移除第一导电层的一部分以形成由第一电介质层的侧壁限定的第二凹槽；在第二凹槽中形成第二导电层，其中，第二导电层与第一导电层接触；在第二导电层上方形成第二电介质层；移除第二电介质层的一部分以形成由第二电介质层的侧壁限定的第三凹槽，其中，第二导电层通过第三凹槽被暴露；以及在第三凹槽中形成第三导电层，其中，第三导电层与第二导电层接触。
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公开(公告)号：CN110323205A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201810823819.6
申请日：2018-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例大体提供了涉及诸如金属接触件、通孔、线等的导电部件以及用于形成这些导电部件的方法的示例实施例。在实施例中，一种半导体结构包括位于衬底上方的第一介电层、位于第一介电层中的第一导电部件、位于第一介电层上方的第二介电层、位于第二介电层中的第二导电部件以及设置在第一导电部件和第二导电部件之间的阻挡区。第二导电部件设置在第二介电层的第一侧壁和第二介电层的第二侧壁之间且邻接第一侧壁和第二侧壁。阻挡区至少从第二介电层的第一侧壁横向延伸至第二介电层的第二侧壁。本发明实施例还提供另一种半导体结构和一种形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN110323205B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201810823819.6
申请日：2018-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例大体提供了涉及诸如金属接触件、通孔、线等的导电部件以及用于形成这些导电部件的方法的示例实施例。在实施例中，一种半导体结构包括位于衬底上方的第一介电层、位于第一介电层中的第一导电部件、位于第一介电层上方的第二介电层、位于第二介电层中的第二导电部件以及设置在第一导电部件和第二导电部件之间的阻挡区。第二导电部件设置在第二介电层的第一侧壁和第二介电层的第二侧壁之间且邻接第一侧壁和第二侧壁。阻挡区至少从第二介电层的第一侧壁横向延伸至第二介电层的第二侧壁。本发明实施例还提供另一种半导体结构和一种形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN110277347A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810937837.7
申请日：2018-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供了与诸如金属接触件、通孔、线等的导电部件和用于形成那些导电部件的方法相关的示例性实施例。在一些实施例中，一种结构包括：第一介电层，位于衬底上方；第一导电部件，穿过第一介电层，第一导电部件包括第一金属；第二介电层，位于第一介电层上方；以及第二导电部件，穿过第二介电层，具有延伸至第一导电部件的下部凸形表面，其中，第二导电部件的下部凸形表面具有在第二介电层的底部边界下方横向延伸的尖端。本发明的实施例还涉及使用自下而上填充沉积的导电部件形成和结构。
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公开(公告)号：CN106158822A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510163064.8
申请日：2015-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53266 , H01L21/28518 , H01L21/76224 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及接触结构及其形成方法。一种结构包括位于衬底上方的介电层、粘合层、硅化物、阻挡层和导电材料。介电层具有至衬底的表面的开口。粘合层沿着开口的侧壁。硅化物位于衬底的表面上。阻挡层位于粘合层和硅化物上，并且阻挡层直接邻接硅化物。导电材料位于开口中的阻挡层上。
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