公开(公告)号：CN119630132A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411495607.1

申请日：2024-10-25

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司 ,  南昌实验室

Inventor： 吴小明 ,  胡民伟 ,  王立 ,  李东熙 ,  刘海荣 ,  王伟 ,  刘璐 ,  江风益

IPC: H10H20/01 ,  H10H20/812 ,  H10H20/825

Abstract: 本发明公开了一种对P型GaN干法刻蚀损伤修复的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供用于外延生长的衬底；在所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括P型GaN层和N型GaN层；干法刻蚀所述外延结构至暴露所述P型GaN层；去除特定深度的P型GaN层；激活所述P型GaN。使用低直流偏压的刻蚀程序刻蚀至暴露P型GaN层，使用无损伤或微损伤的方式去除P型GaN层的表面损伤层，再高温退火才能达到激活的效果，最终达到P型GaN干法刻蚀损伤修复的目的，从而推进新型结构半导体器件的制备。

公开(公告)号：CN117878224A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410277238.2

申请日：2024-03-12

Applicant: 南昌实验室

Inventor： 郭醒 ,  王彩凤 ,  王光绪 ,  罗昕 ,  王都阳 ,  张建立 ,  徐龙权 ,  江风益

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/58 ,  H01L33/54 ,  H01L33/00 ,  H01L25/16 ,  H01L29/866 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明涉及发光二极管，具体涉及LED封装结构、封装方法和无荧光粉的LED。在本发明中，采用具有顶部球面和侧方平面的高折射率的封装胶层进行封装，能够增大顶部球面的直径，解决LED芯片光线出射过程中的全反射问题，提高一次光提取效率；利用高反射率反射层，减少光吸收，提高二次光提取效率；集成齐纳二极管，实现LED封装稳压和防静电击穿。

公开(公告)号：CN119997703A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510157056.6

申请日：2025-02-13

Applicant: 南昌实验室 ,  南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

Inventor： 江风益 ,  王伟 ,  王立 ,  莫春兰 ,  李璠 ,  刘海荣 ,  龚诚凯 ,  彭如意

IPC: H10H29/03 ,  H10H29/30 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明公开了一种通过半透明金属键合层制备Micro‑LED发光模组的方法，包括以下步骤：在衬底上生长具有透光性的外延层；在外延层上整面沉积半透明金属键合层；在驱动基板上制备金属键合单元和光刻对版标记，金属键合单元设于驱动基板的驱动电极的表面；键合半透明金属键合层和金属键合单元；去除衬底；根据光刻对版标记进行光刻，图案化处理外延层和半透明金属键合层，保留金属键合单元对应位置的外延层和半透明金属键合层，制备出单个的Micro‑LED像素单元，完成Micro‑LED发光模组的制备。本发明通过半透明金属键合层制备Micro‑LED发光模组的方法，不仅可以实现非对准键合，而且半透明金属键合层不影响后续光刻对版，提高Micro‑LED发光模组制备的制备效率和良率。

公开(公告)号：CN221529972U

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202420065515.9

申请日：2024-01-11

Applicant: 南昌实验室

Inventor： 王都阳 ,  郭醒 ,  王光绪 ,  王彩凤 ,  罗昕 ,  张建立 ,  徐龙权 ,  江风益

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/58 ,  H01L25/075

Abstract: 本实用新型公开了一种金黄光无荧光粉照明光源，包括：至少一组LED芯片阵列单元、封装基板、固晶层、引线和光学透镜，芯片阵列单元包括均通过固晶层键合在封装基板上的四颗芯片，并通过引线分别与封装基板上对应的电路连接，光学透镜罩合芯片阵列单元并与封装基板连接，第一芯片与第四芯片均为同一光色系芯片，第二芯片与第三芯片为同一光色系芯片且与第一芯片的光色系不同，第一芯片与第四芯片的光线主波长不同且呈对角分布，第二芯片与第三芯片的光线主波长不同且呈对角分布，芯片包括黄绿光和红光两种光色系。本实用新型利用两颗不同主波长的黄绿光芯片与两颗不同主波长的红光芯片合成低色温光源，光源颜色准确，芯片的利用率高。

公开(公告)号：CN221466607U

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202420131506.5

申请日：2024-01-19

Applicant: 南昌实验室

Inventor： 郭醒 ,  熊为红 ,  王光绪 ,  王都阳 ,  罗昕 ,  丁杰 ,  张建立 ,  徐龙权 ,  江风益

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/64 ,  H01L33/56 ,  H01L33/54

Abstract: 本实用新型公开了一种无荧光粉金黄光LED平面封装结构，包括LED芯片、封装基板、固晶层、引线、导热反射层和封装胶层；在封装基板表面与LED芯片互补区域设置有导热反射层；在封装基板上设有封装胶层，封装胶层为高透光率材料，并将LED芯片、固晶层、引线和导热反射层密封在封装基板上，装胶层的上表面为平面，且平面上设有微结构阵列。通过平面封装胶层表面微结构阵列和封装基板表面高导热反射层实现金黄光LED平面封装光提取与散热。避免了荧光粉的使用，且解决了金黄光LED采用传统平面封装结构光提取效率低和散热不足的问题。