公开(公告)号：CN118538835A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410713135.6

申请日：2024-06-04

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司 ,  南昌实验室

Inventor： 李璠 ,  龚诚凯 ,  王立 ,  莫春兰 ,  郑畅达 ,  刘志华 ,  陈芳

IPC: H01L33/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明公开了一种制备Micro‑LED发光模组的方法，包括以下步骤：S1在硅衬底外延层上整面沉积金属键合层；S2在CMOS基板上的驱动电极的表面制备金属键合单元；S3在金属键合单元的间隙填充第一隔离层；S4金属键合层与金属键合单元完成键合；S5去除硅衬底；S6对暴露出的外延层进行减薄或粗化；S7分割外延层形成芯片单元，芯片单元与金属键合单元一一对应；S8在所述芯片单元的侧壁制备钝化层；S9将所述金属键合层分割形成相互独立的金属单元，金属单元、芯片单元、金属键合单元和驱动电极构成像素单元；S10在所述像素单元的间隙填充第二隔离层；S11在所述像素单元和第二隔离层的上方生长透明导电薄膜或/和金属层作为N电极，获得Micro‑LED发光模组。

公开(公告)号：CN119997703A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510157056.6

申请日：2025-02-13

Applicant: 南昌实验室 ,  南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

Inventor： 江风益 ,  王伟 ,  王立 ,  莫春兰 ,  李璠 ,  刘海荣 ,  龚诚凯 ,  彭如意

IPC: H10H29/03 ,  H10H29/30 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明公开了一种通过半透明金属键合层制备Micro‑LED发光模组的方法，包括以下步骤：在衬底上生长具有透光性的外延层；在外延层上整面沉积半透明金属键合层；在驱动基板上制备金属键合单元和光刻对版标记，金属键合单元设于驱动基板的驱动电极的表面；键合半透明金属键合层和金属键合单元；去除衬底；根据光刻对版标记进行光刻，图案化处理外延层和半透明金属键合层，保留金属键合单元对应位置的外延层和半透明金属键合层，制备出单个的Micro‑LED像素单元，完成Micro‑LED发光模组的制备。本发明通过半透明金属键合层制备Micro‑LED发光模组的方法，不仅可以实现非对准键合，而且半透明金属键合层不影响后续光刻对版，提高Micro‑LED发光模组制备的制备效率和良率。

公开(公告)号：CN118073394A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410328160.2

申请日：2024-03-21

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司 ,  南昌实验室

Inventor： 王立 ,  刘海荣 ,  张建立 ,  王小兰 ,  郑畅达 ,  莫春兰 ,  龚诚凯

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种Micro‑LED全彩显示器及其制备方法，其中Micro‑LED全彩显示器的制备方法，通过在同一衬底上集成多个颜色控制单元，并通过多个颜色控制单元分别控制红、绿、蓝三种光，再通过单片集成的方式将芯片阵列集成于电路基板，可以避免使用巨量转移技术或者颜色转换技术来实现全彩显示，简化了集成工艺的复杂性。此外，在芯片阵列制备时通过选择性刻蚀暴露出不同颜色控制单元的阳极接触面，且每颗颜色控制单元的发光层均相互独立，互不相连，所有的颜色控制单元都通过共用外延底部不刻断的N型半导体层导电并形成共阴连接，使得芯片阴极接触面只需要通过与外延底部不刻断的N型半导体层进行连线，即可实现阴极接触面的布线，进而简化了布线工艺。

公开(公告)号：CN118472128A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410695961.2

申请日：2024-05-31

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司 ,  南昌实验室

Inventor： 李璠 ,  邹鑫 ,  王立 ,  莫春兰 ,  吴小明 ,  郑畅达 ,  刘志华 ,  陈芳 ,  谢欣宇 ,  胡民伟 ,  龚诚凯

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明公开了一种垂直结构Micro‑LED发光模组及其制备方法，包括：在硅衬底GaN基外延层上制备第一反射电极层和金属掩膜层；刻蚀获得金属掩膜层阵列和第一反射电极层阵列；刻蚀制备出完全独立的Micro‑LED像素单元和牺牲层阵列；侧壁制备侧壁钝化层，在侧壁钝化层的间隙填充第一隔离层，在金属掩膜层阵列的表面制备第一键合金属层阵列；在驱动电路基板的表面制备第二键合金属层阵列，并在阵列间隙填充第二隔离层；第一键合金属层阵列与第二键合金属层阵列键合；去除硅衬底和牺牲层阵列，并在第二电极接触层阵列和第一隔离层的表面制备第二电极层，最终获得Micro‑LED发光模组。本发明的制备方法能够简化垂直结构Micro‑LED发光模组制备工艺流程，提高生产效率，有利于实际生产及应用。

公开(公告)号：CN117352602A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311191810.5

申请日：2023-09-15

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司 ,  南昌实验室

Inventor： 吴小明 ,  黄超 ,  王立 ,  莫春兰 ,  李新华 ,  夏邦美 ,  龚诚凯 ,  刘璐

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明提供了一种LED芯片键合方法及LED芯片，其中，所述LED芯片键合方法包括：提供发光二极管外延片，所述外延片上顺次形成反射镜层、第一粘结金属层、第一阻挡金属层及第一键合层；提供支撑基板，所述基板上顺次形成第二粘结金属层、第二阻挡金属层及第二键合层；将所述外延片与基板键合在一起，形成第三键合层；其中，第一键合层和第二键合层为高熔点金属层Cu与低熔点金属层In组成的周期性结构，使得键合反应快速而充分地进行；所述低熔点金属层的表面为键合时的贴合面。该方法通过采用Cu‑In固液互扩散键合工艺来键合LED外延片和基板，避免了贵金属Au的使用，从而降低了LED芯片制造成本。

公开(公告)号：CN116925757B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202310843799.X

申请日：2023-07-11

Applicant: 南昌大学

Inventor： 李璠 ,  王晓峰 ,  郭威 ,  龚诚凯 ,  夏雪峰 ,  潘梦婕

IPC: C09K11/66 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G21/00

Abstract: 本发明属于量子点领域，具体涉及一种制备高亮度、高稳定性的钙钛矿量子点的方法，包括以下步骤：S1.甲基丙烯酸铅Pb(MAA)2的制备，S2.甲基丙烯酸铯CsMAA的制备，S3.CsPbX3钙钛矿量子点的制备称量甲基丙烯酸铅白色粉末和甲基丙烯酸铯白色粉末置于一烧瓶中，再加入油酸、油胺，环己烷，密封，超声处理10‑20分钟，形成透明澄清溶液；将上述澄清溶液在室温下通N2气，循环三次后，置于油浴中加热；之后，在搅拌下，快速注入HX水溶液，继续搅拌5‑10分钟后，停止加热，自然冷却，即可形成CsPbX3钙钛矿量子点胶体溶液。本发明能够实现高亮度、高稳定性的CsPbX3钙钛矿量子点的制备。

公开(公告)号：CN116925757A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310843799.X

申请日：2023-07-11

Applicant: 南昌大学

Inventor： 李璠 ,  王晓峰 ,  郭威 ,  龚诚凯 ,  夏雪峰 ,  潘梦婕

IPC: C09K11/66 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G21/00

Abstract: 本发明属于量子点领域，具体涉及一种制备高亮度、高稳定性的钙钛矿量子点的方法，包括以下步骤：S1.甲基丙烯酸铅Pb(MAA)2的制备，S2.甲基丙烯酸铯CsMAA的制备，S3.CsPbX3钙钛矿量子点的制备称量甲基丙烯酸铅白色粉末和甲基丙烯酸铯白色粉末置于一烧瓶中，再加入油酸、油胺，环己烷，密封，超声处理10‑20分钟，形成透明澄清溶液；将上述澄清溶液在室温下通N2气，循环三次后，置于油浴中加热；之后，在搅拌下，快速注入HX水溶液，继续搅拌5‑10分钟后，停止加热，自然冷却，即可形成CsPbX3钙钛矿量子点胶体溶液。本发明能够实现高亮度、高稳定性的CsPbX3钙钛矿量子点的制备。