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公开(公告)号：CN119816042A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411854576.4
申请日：2024-12-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H29/01 , H10H20/813 , H10H20/812 , H10H20/831 , H10H29/34
Abstract: 本发明提供一种微型LED多色芯片及其制备方法，通过在同一衬底上集成红、绿、蓝三种颜色的发光单元，可以避免将不同颜色的芯片分多次转移至驱动电路基板，简化了转移工艺的复杂性，同时提高了生产效率，并且便于制备小尺寸的全彩像素，有利于提高LED显示屏的分辨率。在芯片阵列制备时通过选择性刻蚀分别露出全彩像素的每个发光单元的阳极接触面和阴极接触面，然后将每个全彩像素的每个发光单元的阴极接触面通过金属粘结叠层形成共阴连接，降低了布线和集成工艺的难度，易于将本发明直接应用于规模生产。
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公开(公告)号：CN119403010A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411548556.4
申请日：2024-11-01
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H05B45/30 , H05B45/355 , H05B45/36 , H05B45/345
Abstract: 本发明公开了一种大功率全氮化镓LED驱动电源电路，包括EMI滤波与整流电路、GaN有源功率因数校正电路、GaN半桥LLC谐振变换器电路、GaN同步整流滤波电路；还包括集成了功率因数校正和谐振电路频率调节功能的PFC和LLC组合控制模块，GaN有源功率因数校正电路通过连接PFC和LLC组合控制模块实现功率因数校正，GaN半桥LLC谐振变换器电路通过连接PFC和LLC组合控制模块实现输出功率调节；在所述GaN同步整流滤波电路与PFC和LLC组合控制模块之间设置有用于输出电流电压检测反馈的恒流限压反馈电路。利用GaN开关管高效和电路工作频率高的优势，降低功率损耗和散热需求，有利于提高LED电源的效率和功率密度。本发明具有高效率、高功率密度和高可靠性等优点。
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公开(公告)号：CN119395123A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411757588.5
申请日：2024-12-03
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明公开了一种氮化物材料痕量元素的二次离子质谱分析方法，收集二次离子中待测元素与氮元素形成的原子团簇型负离子的信号，代替收集该待测元素离子，通过所述原子团簇型负离子的信号分析氮化物材料中待测元素的含量及其深度分布。仅通过改变收集离子信号的模式，提高检测灵敏度，操作简单，不增加额外成本，测试结果准确，尤其适用于氮化物材料痕量元素分布的检测。
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公开(公告)号：CN119233469A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411680653.9
申请日：2024-11-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H05B45/28 , H05B45/325 , H05B45/18 , H05B45/50 , H05B45/34 , H05B45/345 , H05B45/37 , H05B45/36 , H05B45/12 , H05B45/22 , H05B45/385
Abstract: 本发明涉及照明技术领域，尤其是涉及一种驱动电源控制电路、控制方法及照明应用方法。包括：采集模块采集当前环境的光谱数据和温度数据；接收模块接收目标显色指数、目标色温、目标照度；控制模块与采集模块、接收模块连接，用于根据所述温度数据计算需补偿的PWM占空比，基于所述当前显色指数Ra、所述当前相关色温CCT、所述当前照度、所述控制参数获得目标PWM占空比，基于目标PWM占空比和需补偿的PWM占空比输出PWM信号；利用电压均衡电路和驱动模块最终输出独立稳定的恒流信号。本发明解决了现有LED驱动电源功能单一、缺乏自适应控制能力以及单色光拖尾的问题。确保LED无粉灯具能够持续稳定运行的同时实现高显色指数和动态光色平衡。
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公开(公告)号：CN119170718A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411667045.4
申请日：2024-11-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本申请属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种在含InGaN层的氮化物薄膜上沉积p型层的方法。该方法通过在MOCVD沉积设备的沉积室中，在含InGaN层氮化物薄膜的待沉积面，交替采用第一工艺、第二工艺以沉积p型层，p型层包括通过第一工艺形成的第一p型层和通过第二工艺形成的第二p型层。本发明采用低温度和慢速率、高温度和快速率交替进行的沉积方式，在相同p型层沉积厚度需求下，减少了InGaN层在较高环境温度中的等待时间，缓解了InGaN层的原子扩散问题，减少了因p型层的低温度沉积而导致碳原子的浓度累积问题，使p型层中的碳原子浓度大幅降低，使p型层具有高空穴浓度与高空穴迁移率。
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公开(公告)号：CN118987503A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411473666.9
申请日：2024-10-22
Applicant: 南昌实验室 , 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: A61N5/06
Abstract: 本发明公开了一种治疗皮肤老化的LED光配方、光源及其应用，涉及光医疗和光健康技术领域，所述LED光配方由黄光、红光和红外光组成；所述LED光配方的光子通量密度总量为240‑300μmol·m‑2·s‑1，所述LED光配方的辐照度总量为70‑80 W/m2；其中，按照所述光子通量密度总量的百分比计算：黄光30‑40%，红光60‑70%；按照所述辐照度总量百分比计算：黄光20%‑30%，红光35%‑45%，红外光35%‑40%。本发明的有益效果是应用所述LED光配方对皮肤进行光照处理能有效减少皮肤皱纹，改善皮肤纹理、肤色和色素沉着，防止经表皮水分丢失，提高角质层含水量，达到改善皮肤老化的效果。
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公开(公告)号：CN115679326B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202211263976.9
申请日：2022-10-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于MicroLED制备过程中GaN刻蚀的微小金属Ni掩膜图形精准控制的腐蚀液及使用方法，该腐蚀液配方由以下组分组成：浓硝酸、水、浓盐酸、双氧水，该四种组分的体积百分比为浓硝酸25‑30%：水60‑65%：浓盐酸4‑5%：双氧水4‑5%。该腐蚀液的使用方法为将上述体积百分比的浓硝酸、水和浓盐酸倒入烧杯中搅拌均匀，将GaN基外延片放入混合液中1‑2min，再向混合液中加入上述百分比的双氧水，腐蚀1‑2min后，制备出小于20μm金属Ni掩膜图形。本发明可以精准腐蚀出尺寸小于20μm的金属Ni掩膜图形，腐蚀后的图形完整，边界清晰，解决了微小金属Ni掩膜图形制备过程中，掩膜腐蚀速率过慢或者腐蚀速率过快造成腐蚀出有较多锯齿状的金属Ni掩膜图形的问题。
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公开(公告)号：CN118472128A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410695961.2
申请日：2024-05-31
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构Micro‑LED发光模组及其制备方法，包括：在硅衬底GaN基外延层上制备第一反射电极层和金属掩膜层；刻蚀获得金属掩膜层阵列和第一反射电极层阵列；刻蚀制备出完全独立的Micro‑LED像素单元和牺牲层阵列；侧壁制备侧壁钝化层，在侧壁钝化层的间隙填充第一隔离层，在金属掩膜层阵列的表面制备第一键合金属层阵列；在驱动电路基板的表面制备第二键合金属层阵列，并在阵列间隙填充第二隔离层；第一键合金属层阵列与第二键合金属层阵列键合；去除硅衬底和牺牲层阵列，并在第二电极接触层阵列和第一隔离层的表面制备第二电极层，最终获得Micro‑LED发光模组。本发明的制备方法能够简化垂直结构Micro‑LED发光模组制备工艺流程，提高生产效率，有利于实际生产及应用。
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公开(公告)号：CN118375844A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410566973.5
申请日：2024-05-09
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种氨气恒压供应控制系统及其控制方法，涉及半导体特气供应领域，该系统包括称重单元、储液单元、加热单元、调压单元、分配单元、缓冲单元、分析单元、吹扫单元和控制单元。其优点在于，设置有备用储液元件，并通过称重单元对储液单元进行称重检测以及加热单元对储液单元不同程度的加热，以确保正在使用的储液单元同时用尽后进行切换和换瓶，以确保氨气供应的连续性；通过加热单元对储液单元和缓冲单元以及管道进行加热，确保获得足够的氨气蒸发量并防止氨气液化；还设置有缓冲单元，在面对突然性的大流量需求时，保障供应氨气的压力恒定以保障稳定供应；并通过分析单元实时监测氨气的泄漏情况，以确保系统的安全稳定运行。
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公开(公告)号：CN118335866A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410259932.1
申请日：2024-03-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种含有V形坑的氮化镓基发光二极管。通过对氮化镓基发光二极管中螺位错与刃位错进行选择性生长，使刃位错形成的V形坑被合并，螺位错形成的V形坑保持大尺寸，解决了空穴注入刃位错形成的V形坑时导致的非辐射复合以及漏电问题。本发明不仅提高了发光二极管的效率，而且减小了漏电。相比现有技术，本发明的氮化镓基发光二极管具有更高的效率与可靠性。
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