公开(公告)号：CN117737668A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311570252.3

申请日：2023-11-23

Applicant: 南开大学

Inventor： 马翼飞 ,  罗锋 ,  宁帅 ,  罗昭初

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  H01F41/18

Abstract: 一种在亚铁磁合金中获得手性耦合的方法，属于新材料技术领域，包括以下步骤：1)采用直流磁控溅射技术在Si/SiO2衬底上沉积钽Ta作为种子层的步骤；2)在步骤1)的基础上，采用直流磁控溅射技术在Ta上沉积铂Pt作为重金属层的步骤；3)在步骤2)的基础上，采用磁性过渡金属或合金TM和稀土金属RE直流共溅射的方法在多层膜上制备TM‑RE亚铁磁合金的步骤；4)在步骤3)的基础上，采用直流磁控溅射技术在多层膜上沉积Ta作为覆盖层的步骤，最终得到亚铁磁多层膜。5)利用镓离子辐照改变亚铁磁多层膜的磁各向异性，构筑手性耦合磁结构。本发明利用该手性耦合可构筑基于亚铁磁的赛道存储器，有望在新型计算方面展现出比传统的铁磁系统更低功耗的应用潜力。