GaAs光电阴极退火后表面清洁程度的判断方法

    公开(公告)号:CN100585775C

    公开(公告)日:2010-01-27

    申请号:CN200710019814.X

    申请日:2007-01-30

    Abstract: 本发明公开了一种GaAs光电阴极退火后表面清洁程度的判断方法。该方法在对GaAs阴极进行激活以前,需要对阴极材料的退火效果进行判断,即对由计算机采集到的高温退火处理和低温退火处理过程中超高真空系统中真空度的变化曲线进行微分处理,该微分处理首先是对离散信号进行差值处理,使离散信号变为均匀采样间隔的离散信号,然后对其进行滤波处理,去掉信号中的干扰,再利用泰勒展开式求出系统真空度变化曲线的微分,最后把微分后的真空度曲线与微分前的真空度曲线进行比较和分析,由比较和分析的结果判断出退火处理的效果。本发明能明显降低对退火后GaAs阴极表面清洁程度的判断成本,可靠性高,对阴极表面无影响,不会对退火后的激活过程副作用。

    GaAs光电阴极退火后表面清洁程度的判断方法

    公开(公告)号:CN101236873A

    公开(公告)日:2008-08-06

    申请号:CN200710019814.X

    申请日:2007-01-30

    Abstract: 本发明公开了一种GaAs光电阴极退火后表面清洁程度的判断方法。该方法在对GaAs阴极进行激活以前,需要对阴极材料的退火效果进行判断,即对由计算机采集到的高温退火处理和低温退火处理过程中超高真空系统中真空度的变化曲线进行微分处理,该微分处理首先是对离散信号进行差值处理,使离散信号变为均匀采样间隔的离散信号,然后对其进行滤波处理,去掉信号中的干扰,再利用泰勒展开式求出系统真空度变化曲线的微分,最后把微分后的真空度曲线与微分前的真空度曲线进行比较和分析,由比较和分析的结果判断出退火处理的效果。本发明能明显降低对退火后GaAs阴极表面清洁程度的判断成本,可靠性高,对阴极表面无影响,不会对退火后的激活过程副作用。

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