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公开(公告)号：CN110416055B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910637382.1
申请日：2019-07-15
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J40/06
Abstract: 本发明提出了一种具有原子级厚超薄发射层的GaN反射式光电阴极，结构自下而上分别为衬底层、p型AlGaN缓冲层、原子级厚GaN超薄发射层以及位于发射层上的Cs/O激活层。所述p型AlGaN缓冲层采用均匀掺杂结构，所述原子级厚GaN超薄发射层由若干厚度相等的GaN单原子层堆叠而成。本发明采用GaN单原子层作为发射层，可以使光电阴极工作在高温、高电压、强辐射以及深紫外条件下并保持耐久性，同时还能增加发射层激子浓度，减少电子输运时间和距离，最终提高光电阴极的量子效率。
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公开(公告)号：CN105449066B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510891044.2
申请日：2015-12-07
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L33/36
Abstract: 本发明公开了一种超晶格梯度组分渐变缓冲层透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法，该光电阴极由自下而上由衬底层、超晶格梯度组分渐变p型AlxGa1‑xN缓冲层、p型AlyGa1‑yN发射层以及Cs或者Cs/O激活层组成，所述超晶格梯度组分渐变p型AlxGa1‑xN缓冲层是由8‑15个组分渐变层循环堆叠和一个过渡层组成，过渡层与发射层接触，最下面的组分渐变层与衬底层接触。本发明提高了晶体的生长质量，较大程度减少缓冲层内部的晶格缺陷，提高发射层光子的吸收率，最终提高光电阴极的光电发射量子效率。
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公开(公告)号：CN105449066A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510891044.2
申请日：2015-12-07
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/36 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种超晶格梯度组分渐变缓冲层透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法，该光电阴极由自下而上由衬底层、超晶格梯度组分渐变p型AlxGa1-xN缓冲层、p型AlyGa1-yN发射层以及Cs或者Cs/O激活层组成，所述超晶格梯度组分渐变p型AlxGa1-xN缓冲层是由8-15个组分渐变层循环堆叠和一个过渡层组成，过渡层与发射层接触，最下面的组分渐变层与衬底层接触。本发明提高了晶体的生长质量，较大程度减少缓冲层内部的晶格缺陷，提高发射层光子的吸收率，最终提高光电阴极的光电发射量子效率。
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公开(公告)号：CN105428183A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510791534.5
申请日：2015-11-17
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提出一种反射式NEA GaN纳米线阵列光电阴极及制备方法，所述反射式NEA GaN纳米线阵列光电阴极是在Si或者SiC衬底的表面生长p型GaN纳米线，并对生长的纳米线阵列进行Cs/O激活得到，其包括衬底层、位于衬底层表面的纳米线阵列发射层；纳米线阵列发射层由若干p型GaN纳米线组成，p型GaN纳米线表面均吸附有Cs/O激活层；所述衬底层为Si或者SiC。本发明能够在降低材料发射率的同时，减少光电子的输运距离，控制纳米线的直径充分吸收光子，提高了GaN光电阴极量子效率。
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公开(公告)号：CN110491751A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910443189.4
申请日：2019-05-27
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种垂直发射GaAs纳米线阵列光电阴极，包括p型GaAs衬底层、p型变掺杂GaAs纳米线阵列发射层、Cs/O激活层；其中p型GaAs衬底层设置于最下方，p型变掺杂GaAs纳米线阵列发射层包括若干设置于p型GaAs衬底层上底面的等厚的带有陷光结构的p型变掺杂GaAs纳米线，Cs/O激活层若干且分别设置于相应的p型变掺杂GaAs纳米线上底面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107818900B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201710975198.9
申请日：2017-10-19
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种NEA‑GaAs纳米锥阵列光电阴极及制备方法，所述GaAs纳米锥阵列光电阴极包括衬底层以及位于衬底层表面的纳米锥阵列发射层，所述衬底为Si或者SiC等绝缘薄膜，纳米锥阵列发射层由若干p型GaAs纳米锥组成，并对生长的纳米锥阵列进行Cs/O激活。本发明提出的纳米锥阵列的有效折射率是渐变的，有效地减小了由于空气/GaAs电池界面折射率的不连续引起的光反射，在提高GaAs光电阴极量子效率的同时，降低了入射光角度对于吸收率的影响。
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公开(公告)号：CN107818900A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710975198.9
申请日：2017-10-19
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种NEA-GaAs纳米锥阵列光电阴极及制备方法，所述GaAs纳米锥阵列光电阴极包括衬底层以及位于衬底层表面的纳米锥阵列发射层，所述衬底为Si或者SiC等绝缘薄膜，纳米锥阵列发射层由若干p型GaAs纳米锥组成，并对生长的纳米锥阵列进行Cs/O激活。本发明提出的纳米锥阵列的有效折射率是渐变的，有效地减小了由于空气/GaAs电池界面折射率的不连续引起的光反射，在提高GaAs光电阴极量子效率的同时，降低了入射光角度对于吸收率的影响。
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公开(公告)号：CN110416055A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910637382.1
申请日：2019-07-15
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J40/06
Abstract: 本发明提出了一种具有原子级厚超薄发射层的GaN反射式光电阴极，结构自下而上分别为衬底层、p型AlGaN缓冲层、原子级厚GaN超薄发射层以及位于发射层上的Cs/O激活层。所述p型AlGaN缓冲层采用均匀掺杂结构，所述原子级厚GaN超薄发射层由若干厚度相等的GaN单原子层堆叠而成。本发明采用GaN单原子层作为发射层，可以使光电阴极工作在高温、高电压、强辐射以及深紫外条件下并保持耐久性，同时还能增加发射层激子浓度，减少电子输运时间和距离，最终提高光电阴极的量子效率。
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公开(公告)号：CN109103059A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810826558.3
申请日：2018-07-25
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种变组分反射式NEAAlxGa1-xN纳米线阵列光电阴极，其特征在于，该光电阴极自下而上由衬底层、若干p型GaN纳米线、若干组分渐变p型AlxGa1-xN纳米线和Cs/O激活层组成；所述组分渐变p型AlxGa1-xN纳米线是由9个自下而上Al组分降低的层堆叠而成，组分渐变p型AlxGa1-xN纳米线与p型GaN纳米线接触，Cs/O激活层覆盖于整个纳米线阵列表面。
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公开(公告)号：CN105428183B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201510791534.5
申请日：2015-11-17
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提出一种反射式NEA GaN纳米线阵列光电阴极及制备方法，所述反射式NEA GaN纳米线阵列光电阴极是在Si或者SiC衬底的表面生长p型GaN纳米线，并对生长的纳米线阵列进行Cs/O激活得到，其包括衬底层、位于衬底层表面的纳米线阵列发射层；纳米线阵列发射层由若干p型GaN纳米线组成，p型GaN纳米线表面均吸附有Cs/O激活层；所述衬底层为Si或者SiC。本发明能够在降低材料发射率的同时，减少光电子的输运距离，控制纳米线的直径充分吸收光子，提高了GaN光电阴极量子效率。
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