公开(公告)号：CN102097105A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010567810.7

申请日：2010-12-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  孔继周 ,  张俊龙 ,  颜清宇 ,  吴迪

IPC: G11B5/84

Abstract: 本发明公开了一种FePt/CoPt-非磁氧化物磁性复合薄膜的制备方法，首先制备FePt/CoPt超顺磁纳米颗粒，再将颗粒做水溶性处理，制备非磁氧化物前体溶胶，将水溶性FePt/CoPt颗粒和非磁氧化物前体溶胶进行复合，在非磁性衬底上，采用甩胶法或滴注法制备复合薄膜，最后将制备的复合薄膜在650～750℃高温退火，即获得复合薄膜。该方法利用溶胶凝胶成膜工艺与FePt/CoPt纳米颗粒自组装的结合优势，制备出有序的FePt/CoPt纳米颗粒与无机非磁体复合结构薄膜，有效地保证了FePt/CoPt纳米颗粒在高温相变过程中的不发生团聚，以获得具有高矫顽力、可用于磁存储记录的薄膜复合材料。

公开(公告)号：CN101787522A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010137810.3

申请日：2010-04-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  孔继周 ,  龚佑品 ,  张俊龙 ,  吴迪

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/0281 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明公开了一种超高密度有序的磁性纳米颗粒复合薄膜的制备方法，其步骤是首先制备FePt/CoPt超顺磁纳米颗粒；自组装含有的FePt/CoPt超顺磁纳米颗粒的非磁性衬底，采用原子层沉积技术在包含单层FePt/CoPt纳米颗粒点阵的衬底表面生长10～30纳米的无机非磁性基体薄膜保护层；将沉积后的衬底放于管式扩散炉，在90～97％Ar和10～3％H2的还原性气氛中，于600～750℃高温条件下，退火30～90分钟，获得FePt/CoPt铁磁纳米颗粒与氧化物的复合薄膜。本发明可以获得了具有L10相和较好磁性能的有序FePt/CoPt纳米颗粒复合薄膜，其磁矫顽场达到Hc＝5.9kOe。

公开(公告)号：CN102097105B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010567810.7

申请日：2010-12-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  孔继周 ,  张俊龙 ,  颜清宇 ,  吴迪

IPC: G11B5/84

Abstract: 本发明公开了一种FePt/CoPt-非磁氧化物磁性复合薄膜的制备方法，首先制备FePt/CoPt超顺磁纳米颗粒，再将颗粒做水溶性处理，制备非磁氧化物前体溶胶，将水溶性FePt/CoPt颗粒和非磁氧化物前体溶胶进行复合，在非磁性衬底上，采用甩胶法或滴注法制备复合薄膜，最后将制备的复合薄膜在650～750℃高温退火，即获得复合薄膜。该方法利用溶胶凝胶成膜工艺与FePt/CoPt纳米颗粒自组装的结合优势，制备出有序的FePt/CoPt纳米颗粒与无机非磁体复合结构薄膜，有效地保证了FePt/CoPt纳米颗粒在高温相变过程中的不发生团聚，以获得具有高矫顽力、可用于磁存储记录的薄膜复合材料。

公开(公告)号：CN101787522B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201010137810.3

申请日：2010-04-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  孔继周 ,  龚佑品 ,  张俊龙 ,  吴迪

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/0281 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明公开了一种超高密度有序的磁性纳米颗粒复合薄膜的制备方法，其步骤是首先制备FePt/CoPt超顺磁纳米颗粒；自组装含有的FePt/CoPt超顺磁纳米颗粒的非磁性衬底，采用原子层沉积技术在包含单层FePt/CoPt纳米颗粒点阵的衬底表面生长10～30纳米的无机非磁性基体薄膜保护层；将沉积后的衬底放于管式扩散炉，在90～97％Ar和10～3％H2的还原性气氛中，于600～750℃高温条件下，退火30～90分钟，获得FePt/CoPt铁磁纳米颗粒与氧化物的复合薄膜。本发明可以获得了具有L10相和较好磁性能的有序FePt/CoPt纳米颗粒复合薄膜，其磁矫顽场达到Hc＝5.9kOe。