公开(公告)号：CN114415867B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202210080470.8

申请日：2022-01-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爽 ,  邹暨捷 ,  万浩鹏 ,  贾康宁 ,  陈佳明 ,  孙飞扬 ,  徐晓东 ,  颜学俊 ,  程利平 ,  范理

IPC: G06F3/043 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明公开了一种基于泄露兰姆波和卷积神经网络的水下声学3D触屏系统，能够在屏幕表面有液体覆盖的情况下有效预测触屏点的位置信息和压强信息，装置主要结构包括了玻璃板（3）、封装隔水板、信号发生器（1）、压电陶瓷片、后置信号放大器（6）和jetson TX1开发版（7）。该装置通过一个压电陶瓷片发射脉冲波其余两个压电陶瓷片接收声波信号，可以得到包含有触点信息的原始数据，利用原始数据和位置、压强组成的标签一起构造成数据集后用于训练卷积神经网络，之后即可将接收到的原始数据直接输入训练好的神经网络中以得到触点的位置信息与压强信息，可应用在水下触控书写领域。

公开(公告)号：CN114415867A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210080470.8

申请日：2022-01-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爽 ,  邹暨捷 ,  万浩鹏 ,  贾康宁 ,  陈佳明 ,  孙飞扬 ,  徐晓东 ,  颜学俊 ,  程利平 ,  范理

IPC: G06F3/043 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明公开了一种基于泄露兰姆波和卷积神经网络的水下声学3D触屏系统，能够在屏幕表面有液体覆盖的情况下有效预测触屏点的位置信息和压强信息，装置主要结构包括了玻璃板（3）、封装隔水板、信号发生器（1）、压电陶瓷片、后置信号放大器（6）和jetson TX1开发版（7）。该装置通过一个压电陶瓷片发射脉冲波其余两个压电陶瓷片接收声波信号，可以得到包含有触点信息的原始数据，利用原始数据和位置、压强组成的标签一起构造成数据集后用于训练卷积神经网络，之后即可将接收到的原始数据直接输入训练好的神经网络中以得到触点的位置信息与压强信息，可应用在水下触控书写领域。

公开(公告)号：CN115832133A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211564833.1

申请日：2022-12-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  孙腾 ,  李东珂 ,  陈佳明 ,  韩俊楠 ,  王宇皓 ,  李伟 ,  陈坤基

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/34 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种尺寸可控的磷掺杂纳米硅量子点LED器件，包括p型硅衬底材料层，所述衬底背面蒸镀有金属Al电极，还包括多层交替沉积于所述p型硅衬底材料层上的磷掺杂非晶硅子层和碳化硅子层，所述磷掺杂非晶硅子层经热处理后形成纳米硅，进而成为磷掺杂的纳米硅量子点层；所述碳化硅子层为热处理后形成的致密碳化硅层，最上层掺杂纳米碳化硅量子点层的表面制有ITO电极。本发明在室温条件下，实现了纳米硅量子点LED器件的高效电致发光。利用周期性生长异质结结构，使得纳米硅尺寸可控。引入禁带宽度更窄的碳化硅作为介质层，改善器件整体的电学特性；引入磷杂质进行掺杂，改善纳米硅界面结构，有效减少纳米硅量子点中存在的大量缺陷，并提高了纳米硅量子点的电学特性，降低了器件开启电压，提高发光效率。

公开(公告)号：CN112175612B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202010636000.6

申请日：2020-07-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  张阳熠 ,  王理想 ,  陈佳明 ,  侯国智 ,  李东珂 ,  陈坤基

IPC: C09K11/66

Abstract: 一种碱土金属离子掺杂提高红外光发射的硅基SnO2:Er3+复合薄膜及制备方法，所述的碱土金属离子包括镁Mg2+、钙Ca2+、锶Sr2+和钡Ba2+；硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜，其结构为SnO2:Er3+纳米晶镶嵌的非晶SiO2薄膜；相对于Si元素Sn4+的掺杂浓度范围为5‑50mol％，Er3+离子的浓度为3‑10mol％，碱土金属掺杂浓度为0.01‑25mol％。通过碱土金属离子掺杂提高硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜红外光发射的强度。采用碱土金属氯酸盐作为掺杂剂，通过匀胶技术结合后退火处理制备碱土金属离子掺杂硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜。

公开(公告)号：CN114545466A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210160344.3

申请日：2022-02-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 万浩鹏 ,  陈佳明 ,  孙飞扬 ,  刘世元 ,  徐晓东 ,  程利平 ,  范理 ,  赵国普 ,  卞晓峰 ,  王吉

IPC: G01S19/42 ,  G01S19/53 ,  G01S19/39 ,  G01C15/00 ,  G01C9/00

Abstract: 本发明公开了一种全站仪与GNSS联合导向系统及方法，该系统包括两个GNSS接收系统、全站仪、单片机和两个水平仪，所述全站仪的棱镜设置在目标机器中心位置，所述两个GNSS接收系统设置在棱镜两端，与棱镜位于同一轴线，且与棱镜的距离相等；所述两个水平仪分别位于目标机器两轴线上，所述单片机分别与GNSS接收系统、全站仪、单片机和水平仪通信。本发明将全站仪和全球导航卫星系统相结合，辅以水平仪，并利用单片机接收全站仪与GNSS的信号并计算，构造出一种新型引导系统，实现了对目标机器的毫米级精度定位和导向以及自动化控制输出，有巨大的工程应用前景。

公开(公告)号：CN113206181A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110489814.6

申请日：2021-05-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  陈佳明 ,  李东珂 ,  季阳 ,  张阳熠 ,  孙腾 ,  王理想

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/06 ,  H01L33/34 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明属于半导体光电器件领域，公开了一种径向结硅量子点电致发光器件，包括刻蚀有硅纳米线阵列的硅衬底样品，所述样品表面沉积有Al2O3钝化层，所述Al2O3钝化层表面设有硅量子点/二氧化硅多层膜，所述硅量子点/二氧化硅多层膜表面沉积有TiO2层，所述TiO2层表面溅射有Au层，所述Au层上镀有ITO电极，所述硅衬底样品的背面蒸镀有铝电极。与现有技术相比，本发明通过改善电极接触和能带调控，可以显著提高器件注入电流，增强其电致发光强度。

公开(公告)号：CN112175612A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010636000.6

申请日：2020-07-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  张阳熠 ,  王理想 ,  陈佳明 ,  侯国智 ,  李东珂 ,  陈坤基

IPC: C09K11/66

Abstract: 一种碱土金属离子掺杂提高红外Er光3+发复射合的薄硅膜基及Sn制O备2:方法，所述的碱土金属离子包括镁Mg2+、钙Ca2+、锶Sr2+和钡Ba2+；硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜，其结构为SnO2:Er3+纳米晶镶嵌的于S非i元晶素SiSOn24薄+的膜掺；杂相浓对度范围为5‑50mol％，Er3+离子的浓度为3‑10mol％，碱土金属掺杂浓度为0.01‑25mol％。通过碱土金属离子掺杂提高硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜红外光发射的强度。采用碱土金属氯酸盐作为掺杂剂，通过匀胶技术结合后退火处理制备碱土金属离子掺杂硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜。