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公开(公告)号：CN106018348A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610395687.2
申请日：2016-06-06
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/552
CPC classification number: G01N21/554
Abstract: 利用局域表面等离激元共振效应估算纳米硅量子点中掺杂效率的方法，步骤以下：第一步：对不同掺杂浓度的纳米硅量子点材料的制备与纳米硅量子点材料的局域表面等离激元共振效应的表征；掺杂纳米硅量子点材料的制备，局域表面等离激元共振(LSPR)效应的表征：采用傅里叶变换红外光谱仪对不同掺杂浓度的多层膜样品进行测试，得到了在1微米之内短波长范围的红外光谱吸收，对应于样品的局域表面等离激元共振吸收；第二步：利用掺杂纳米硅量子点材料的局域表面等离激元共振峰估算纳米硅量子点中的掺杂浓度与掺杂效率。
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公开(公告)号：CN115832133A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211564833.1
申请日：2022-12-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种尺寸可控的磷掺杂纳米硅量子点LED器件，包括p型硅衬底材料层，所述衬底背面蒸镀有金属Al电极，还包括多层交替沉积于所述p型硅衬底材料层上的磷掺杂非晶硅子层和碳化硅子层，所述磷掺杂非晶硅子层经热处理后形成纳米硅，进而成为磷掺杂的纳米硅量子点层；所述碳化硅子层为热处理后形成的致密碳化硅层，最上层掺杂纳米碳化硅量子点层的表面制有ITO电极。本发明在室温条件下，实现了纳米硅量子点LED器件的高效电致发光。利用周期性生长异质结结构，使得纳米硅尺寸可控。引入禁带宽度更窄的碳化硅作为介质层，改善器件整体的电学特性；引入磷杂质进行掺杂，改善纳米硅界面结构，有效减少纳米硅量子点中存在的大量缺陷，并提高了纳米硅量子点的电学特性，降低了器件开启电压，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN112175612B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010636000.6
申请日：2020-07-03
Applicant: 南京大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 一种碱土金属离子掺杂提高红外光发射的硅基SnO2:Er3+复合薄膜及制备方法，所述的碱土金属离子包括镁Mg2+、钙Ca2+、锶Sr2+和钡Ba2+；硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜，其结构为SnO2:Er3+纳米晶镶嵌的非晶SiO2薄膜；相对于Si元素Sn4+的掺杂浓度范围为5‑50mol％，Er3+离子的浓度为3‑10mol％，碱土金属掺杂浓度为0.01‑25mol％。通过碱土金属离子掺杂提高硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜红外光发射的强度。采用碱土金属氯酸盐作为掺杂剂，通过匀胶技术结合后退火处理制备碱土金属离子掺杂硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜。
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公开(公告)号：CN106018348B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610395687.2
申请日：2016-06-06
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 利用局域表面等离激元共振效应估算纳米硅量子点中掺杂效率的方法，步骤以下：第一步：对不同掺杂浓度的纳米硅量子点材料的制备与纳米硅量子点材料的局域表面等离激元共振效应的表征；掺杂纳米硅量子点材料的制备，局域表面等离激元共振(LSPR)效应的表征：采用傅里叶变换红外光谱仪对不同掺杂浓度的多层膜样品进行测试，得到了在1微米之内短波长范围的红外光谱吸收，对应于样品的局域表面等离激元共振吸收；第二步：利用掺杂纳米硅量子点材料的局域表面等离激元共振峰估算纳米硅量子点中的掺杂浓度与掺杂效率。
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公开(公告)号：CN107611229A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710733295.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种交流驱动提高硅基异质结电致发光器件发光稳定性的方法，硅基异质结电致发光器件采用钙钛矿电致发光器件，其结构自下而上分别为阳极层、空穴传输层-电子阻挡层、发光层、电子传输-空穴阻挡层和阴极层；空穴传输层-电子阻挡层为Si基材料，包括p-Si、p-Si+SiO2、p-Si+SiC、p-Si+SiN以及非晶硅；发光层为全无机钙钛矿CsPbX3，X为一元卤素元素或多元卤素元素的组合、X＝Cl、Br或I；采用交流驱动(1)方波驱动频率10HZ-100MHZ,占空比20％-80％；(2)正弦波驱动频率10HZ-100MHZ。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106384708A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610835042.6
申请日：2016-09-19
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L21/02164 , B82Y30/00 , H01L21/02274 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0257 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/02667
Abstract: 利用硼磷共掺技术提高纳米硅基薄膜中磷的掺杂浓度效率的方法，步骤如下：1)利用PECVD制备掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜材料；2)通过交替进行非晶硅层沉积/原位氧化两个过程，能够获得掺杂纳米硅/二氧化硅(a-Si/SiO2)多层膜材料；控制非晶硅层沉积/原位氧化的时获得a-Si/SiO2多层膜的厚度；3)对制备的a-Si/SiO2多层膜进行脱氢处理；4)脱氢后对进行氮气氛围下的高温退火处理，使多晶硅结晶形成纳米硅，并激活杂质原子进入纳米硅内部，实现纳米硅的掺杂；制备成共掺杂的纳米硅/二氧化硅多层膜。
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公开(公告)号：CN113206181A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110489814.6
申请日：2021-05-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于半导体光电器件领域，公开了一种径向结硅量子点电致发光器件，包括刻蚀有硅纳米线阵列的硅衬底样品，所述样品表面沉积有Al2O3钝化层，所述Al2O3钝化层表面设有硅量子点/二氧化硅多层膜，所述硅量子点/二氧化硅多层膜表面沉积有TiO2层，所述TiO2层表面溅射有Au层，所述Au层上镀有ITO电极，所述硅衬底样品的背面蒸镀有铝电极。与现有技术相比，本发明通过改善电极接触和能带调控，可以显著提高器件注入电流，增强其电致发光强度。
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公开(公告)号：CN112175612A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010636000.6
申请日：2020-07-03
Applicant: 南京大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 一种碱土金属离子掺杂提高红外Er光3+发复射合的薄硅膜基及Sn制O备2:方法，所述的碱土金属离子包括镁Mg2+、钙Ca2+、锶Sr2+和钡Ba2+；硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜，其结构为SnO2:Er3+纳米晶镶嵌的于S非i元晶素SiSOn24薄+的膜掺；杂相浓对度范围为5‑50mol％，Er3+离子的浓度为3‑10mol％，碱土金属掺杂浓度为0.01‑25mol％。通过碱土金属离子掺杂提高硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜红外光发射的强度。采用碱土金属氯酸盐作为掺杂剂，通过匀胶技术结合后退火处理制备碱土金属离子掺杂硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜。
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公开(公告)号：CN107611230A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710733302.3
申请日：2017-08-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 钙钛矿/硅异质结电致发光器件，所述钙钛矿电致发光器件的结构自下而上分别为阳极层、空穴传输层-电子阻挡层、发光层、电子传输-空穴阻挡层和阴极层；空穴传输层-电子阻挡层为Si基材料，包括p-Si、p-Si+SiO2、p-Si+SiC、p-Si+SiN以及非晶硅，包括这些但不限于此；发光层为全无机钙钛矿CsPbX3，X为一元卤素元素或多元卤素元素的组合(X＝Cl，Br，I)。
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公开(公告)号：CN106898543A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710155999.0
申请日：2017-03-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种利用Al2O3薄膜钝化硅基纳米线的方法，在硅纳米线结构表面形成一层Al2O3薄膜以包覆硅基纳米线，Al2O3薄膜层用于钝化纳米线表面缺陷，其厚度控制在硅基中的载流子能够穿透的范围内，纳米线表面形成Al2O3薄膜层后仍具有近似原有形貌的结构，可采用原子层沉积、溅射或等化学气相淀积技术在硅基纳米线表面溅射Al2O3薄膜层。还公开了具有Al2O3钝化层的纳米线结构的器件。通过这种Al2O3薄膜钝化表面缺陷态的方法可以进一步提升器件的发光效率和性能。
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