公开(公告)号：CN113206181A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110489814.6

申请日：2021-05-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  陈佳明 ,  李东珂 ,  季阳 ,  张阳熠 ,  孙腾 ,  王理想

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/06 ,  H01L33/34 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明属于半导体光电器件领域，公开了一种径向结硅量子点电致发光器件，包括刻蚀有硅纳米线阵列的硅衬底样品，所述样品表面沉积有Al2O3钝化层，所述Al2O3钝化层表面设有硅量子点/二氧化硅多层膜，所述硅量子点/二氧化硅多层膜表面沉积有TiO2层，所述TiO2层表面溅射有Au层，所述Au层上镀有ITO电极，所述硅衬底样品的背面蒸镀有铝电极。与现有技术相比，本发明通过改善电极接触和能带调控，可以显著提高器件注入电流，增强其电致发光强度。

公开(公告)号：CN115832133A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211564833.1

申请日：2022-12-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  孙腾 ,  李东珂 ,  陈佳明 ,  韩俊楠 ,  王宇皓 ,  李伟 ,  陈坤基

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/34 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种尺寸可控的磷掺杂纳米硅量子点LED器件，包括p型硅衬底材料层，所述衬底背面蒸镀有金属Al电极，还包括多层交替沉积于所述p型硅衬底材料层上的磷掺杂非晶硅子层和碳化硅子层，所述磷掺杂非晶硅子层经热处理后形成纳米硅，进而成为磷掺杂的纳米硅量子点层；所述碳化硅子层为热处理后形成的致密碳化硅层，最上层掺杂纳米碳化硅量子点层的表面制有ITO电极。本发明在室温条件下，实现了纳米硅量子点LED器件的高效电致发光。利用周期性生长异质结结构，使得纳米硅尺寸可控。引入禁带宽度更窄的碳化硅作为介质层，改善器件整体的电学特性；引入磷杂质进行掺杂，改善纳米硅界面结构，有效减少纳米硅量子点中存在的大量缺陷，并提高了纳米硅量子点的电学特性，降低了器件开启电压，提高发光效率。