公开(公告)号：CN102583533A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110009704.1

申请日：2011-01-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  章闻奇 ,  黄柳英 ,  邵起越 ,  吴迪

IPC: C01G27/00

Abstract: 本发明公开了一种无水铪锆复合硝酸盐的合成方法及其在ALD方法沉积高介电复合氧化物薄膜中的应用，该合成方法首先是将发烟硝酸和五氧化二磷反应，产生的氮氧化物气体在低温下成为固态五氧化二氮；使固态五氧化二氮逐渐液化，伴随四氧化二氮气体产生；让四氧化二氮和混合金属氯化物充分反应，最后获得白色粉末状的无水铪锆复合硝酸盐初产物；初产物通过升华提纯装置得到白色晶状无水铪锆复合硝酸盐。本发明成功制备了具有良好挥发性且不含碳的无水铪锆复合硝酸盐，并以此单源作为ALD双金属前体，用ALD方法成功沉积了铪锆复合氧化物薄膜，获得了较好的性能。

公开(公告)号：CN102517632A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201210006512.X

申请日：2012-01-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  黄柳英 ,  刘晓杰 ,  付盈盈 ,  吴迪

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/22 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明公开了一种采用MOCVD制备外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜的方法，首先对（100）Si衬底进行清洗；将清洗好的衬底移入MOCVD反应室，Gd源和La源分别为四甲基庚二酮钆Gd(dpm)3和四甲基庚二酮镧La(dpm)3，以MOCVD方法在Si衬底上沉积Gd2-xLaxO3金属氧化物薄膜，将沉积好薄膜的衬底放于快速退火炉中退火后即得到成品。本发明采用MOCVD工艺，在（100）Si衬底上成功制备了外延的（111）Gd2-xLaxO3栅介质薄膜。本发明工艺简单，外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜在微电子领域具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN102517632B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201210006512.X

申请日：2012-01-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  黄柳英 ,  刘晓杰 ,  付盈盈 ,  吴迪

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/22 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明公开了一种采用MOCVD制备外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜的方法，首先对（100）Si衬底进行清洗；将清洗好的衬底移入MOCVD反应室，Gd源和La源分别为四甲基庚二酮钆Gd(dpm)3和四甲基庚二酮镧La(dpm)3，以MOCVD方法在Si衬底上沉积Gd2-xLaxO3金属氧化物薄膜，将沉积好薄膜的衬底放于快速退火炉中退火后即得到成品。本发明采用MOCVD工艺，在（100）Si衬底上成功制备了外延的（111）Gd2-xLaxO3栅介质薄膜。本发明工艺简单，外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜在微电子领域具有重要的应用前景。