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公开(公告)号：CN107907915B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201711296974.9
申请日：2017-12-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01V7/00
Abstract: 本发明公开了一种三分量重力仪探头及井中重力仪系统，三分量重力仪探头包括结构相同的X轴重力测量模块、Y轴重力测量模块和Z轴重力测量模块；各单轴重力测量模块包括单轴重力加速度传感器、信号处理电路和电子元器件；各单轴重力加速度传感器包括重力敏感单元和位移传感组件；各轴重力敏感单元用于实现测量重力沿各轴方向的加速度，包括X轴方向、Y轴方向及Z轴方向三个方向；重力敏感单元包括弹性结构、检验质量块及支撑体，检验质量块位于支撑体内部，检验质量块通过弹性结构与支撑体连接；各轴重力敏感单元中的弹性结构的位移移动方向同个轴方向相同，本发明通过三个方向的重力测量模块，能够实现井中的三分量重力测量。
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公开(公告)号：CN115326276A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211026105.5
申请日：2022-08-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了皮拉尼真空计的温度补偿、环境真空度的计算方法和设备，属于皮拉尼真空计领域。包括：在[10‑5Pa,105Pa]区间内确定目标皮拉尼真空计的压强工作区间；测量参考温度T0、各离散压强下目标皮拉尼真空计的电阻值，测量参考压强P0、各离散温度下目标皮拉尼真空计的电阻值，所述离散压强为采样压强工作区间得到；对P0下皮拉尼真空计的电阻值随温度变化的函数进行插值拟合，得到电阻率温度系数α，构建比例关系k(T)＝1+α·(T‑T0)；对于温度T和压强P反复选择，使其覆盖工作全区间，预测选中T和P下的皮拉尼真空计的电阻值：R(T,P)＝R(T,P0)+k(T)·[R(T0,P)‑R(T0,P0)]。本发明通过计算不同温度下、相同压强区间的电阻值之差，以其电阻值差值的比例呈现，将大量的参数约去，简化标定过程，节省大量人力物力。
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公开(公告)号：CN112363247A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011163660.3
申请日：2020-10-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种重力梯度仪运动误差事后补偿方法，包括下述步骤：(1)获得重力梯度仪的输出数据、比力数据、角速度数据和角加速度数据，并对数据进行预处理，将数据分成N个数据块；(2)利用重力梯度仪运动误差模型对N个数据块进行运动误差补偿；(3)将补偿后的N个数据块合并，并进行解调或滤波获得万有引力梯度。本发明基于重力梯度仪运动误差模型，利用匀速勘探的情况下，重力梯度仪运动状态仅与运动误差相关和万有引力梯度响应无关的特性，构建损失函数，利用损失函数最小，估计运动误差传递系数，进而计算出运动误差，剔除重力梯度仪输出数据中的运动误差。本发明同时适用于调制类和非调制类重力梯度仪的运动误差补偿，且操作简单、易实施。
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公开(公告)号：CN108039338A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711193289.3
申请日：2017-11-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明属于微纳加工制造领域，更具体地，涉及一种消除介质层针孔缺陷影响的方法。本发明介质层位于第一金属层与第二金属层之间，其为第一金属层与第二金属层之间的电气绝缘层，通过在沉积第二金属层之前，将第一金属层连同表面沉积的介质层进行湿法刻蚀，刻蚀液通过介质层中的针孔缺陷进入第一金属层表面，发生第一金属层的各向同性刻蚀，使得第一金属层形成无金属区域，无金属区域的横向尺寸大于针孔缺陷的横向尺寸，纵向尺寸等于第一金属层的厚度，这样再沉积上层金属即第二金属层时就不会在两金属层之间形成导通，由此解决现有技术的介质层薄膜IMD中普遍存在的针孔缺陷带来的金属层间短路引起的良品率下降的技术问题。
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公开(公告)号：CN104340955B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410464700.6
申请日：2014-09-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微型皮拉尼计与体硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制备体硅器件所需的绝缘层及电路引线；在硅基片的背面或正面沉积一层绝缘隔热材料，刻蚀去除其四周部分得到绝缘隔热层；在绝缘隔热层上制备加热体和电极；在没有加热体的一面制备图形化的光刻胶掩膜；在有加热体的一面沉积金属膜；将金属膜粘贴在表面有氧化层的硅托片上；对有光刻胶掩膜的一面进行感应耦合等离子体干法刻蚀，刻穿硅基片；去除光刻胶掩膜和金属膜，得到集成结构。本发明能有效提高皮拉尼计的制备与其它工艺的兼容性，解决皮拉尼计与体硅器件集成封装工艺难度大，风险高，成本高且产量低的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103950887B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410140457.2
申请日：2014-04-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种深硅刻蚀方法，包括如下步骤：（1）在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；（2）对硅片进行深感应耦合等离子体干法刻蚀，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强。本发明有效解决了现有技术中侧壁垂直度及粗糙度难以控制以及大刻蚀深度难以实现的问题，在提高刻蚀效率的同时，提高了对光刻胶的选择比，刻蚀槽侧壁垂直度高，粗糙度小，刻蚀深度大。
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公开(公告)号：CN119984891A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510450788.4
申请日：2025-04-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01M99/00
Abstract: 本申请属于精密测量领域，具体公开了一种检验质量在轨释放的六自由度地面模拟测试装置和方法，该测试装置包括：真空单元，用于模拟太空真空环境；二级摆单元，设置在真空单元内部，用于实现检验质量的六自由度运动，所述二级摆单元包括悬吊连接在真空单元内部的一级摆体，该一级摆体在自身悬吊连接点的横向一端悬吊连接有检验质量，横向另一端连接有配平质量；锁放单元，设置在真空单元内部，用于检验质量的锁紧和释放；检测单元，用于检测检验质量的位移和偏转。本申请的测试装置能够进行检验质量在轨释放的六自由度地面模拟测试。
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公开(公告)号：CN115326276B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211026105.5
申请日：2022-08-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了皮拉尼真空计的温度补偿、环境真空度的计算方法和设备，属于皮拉尼真空计领域。包括：在[10‑5Pa,105Pa]区间内确定目标皮拉尼真空计的压强工作区间；测量参考温度T0、各离散压强下目标皮拉尼真空计的电阻值，测量参考压强P0、各离散温度下目标皮拉尼真空计的电阻值，所述离散压强为采样压强工作区间得到；对P0下皮拉尼真空计的电阻值随温度变化的函数进行插值拟合，得到电阻率温度系数α，构建比例关系k(T)＝1+α·(T‑T0)；对于温度T和压强P反复选择，使其覆盖工作全区间，预测选中T和P下的皮拉尼真空计的电阻值：R(T,P)＝R(T,P0)+k(T)·[R(T0,P)‑R(T0,P0)]。本发明通过计算不同温度下、相同压强区间的电阻值之差，以其电阻值差值的比例呈现，将大量的参数约去，简化标定过程，节省大量人力物力。
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公开(公告)号：CN117805936A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311814456.7
申请日：2023-12-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种RAGG线运动误差系数标定方法、补偿方法和系统，属于精密测量技术领域。该方法使用一定频率的激振用于标定RAGG的线运动误差系数，结合旋转加速度计重力梯度仪对载体运动调制的特性，减少误差系数的标定误差。标定过程包含线运动信息监测、组合；对组合信息和梯度仪输出的带通滤波；运动误差系数的拟合解算方法。能够对梯度仪的线运动误差进行标定，能够分析标定误差，也可以用于梯度仪物理模型的验证。根据标定的线运动误差系数，对梯度仪的输出进行事后误差补偿的方法操作简易可行，能够在保留重力梯度信号的同时，有效提高旋转加速度计式重力梯度仪的测量精度。
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公开(公告)号：CN114334622A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111527377.9
申请日：2021-12-14
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华中科技大学
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明属于微电子器件封装技术领域，具体公开了一种利用薄膜沉积补偿形变进行晶圆直接键合的方法，包括：获取第一晶圆的第一初始翘曲度和第二晶圆的第二初始翘曲度，分别对第一晶圆和第二晶圆施加应力，使得第一晶圆发生形变调整以补偿第一初始翘曲度，第二晶圆发生形变调整以补偿第二初始翘曲度；对发生形变调整后的第一晶圆和第二晶圆进行表面活化，在室温及1000mbar～6000mbar压强下进行键合，得到键合结构；施加应力的方法为沉积二氧化硅薄膜，通过调整二氧化硅薄膜的致密性及厚度，能控制应力方向和大小。本发明通过沉积二氧化硅薄膜的方式对待键合的晶圆进行形变补偿，并进行表面活化处理，可实现在室温常压下的晶圆直接键合。
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