公开(公告)号：CN116500520A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202210061414.X

申请日：2022-01-19

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 宋萧萧 ,  王苑 ,  刘骅锋 ,  赵纯 ,  涂良成 ,  周泽兵

IPC: G01R33/06

Abstract: 本发明属于磁传感器领域，并具体公开了一种MEMS三轴矢量磁力仪及矢量磁场强度测量方法；该种磁力仪由三个或六个两两正交的MEMS磁传感单元构成，MEMS磁传感单元通过绝缘且不导磁的材料制成的框架固定并相互隔开；每个MEMS磁传感单元包括双端固定音叉谐振器和两个洛伦兹力发生器，洛伦兹力发生器由能够导电的材料制成，对称地布置于双端固定音叉谐振器两端的外侧，并分别与双端固定音叉谐振器的两端相连；该磁力仪通过两两正交的三个或六个MEMS磁传感单元对矢量磁场三个矢量方向的分量磁场进行检测，实现对外部矢量磁场的感测；同时，通过使每两个相互平行的MEMS磁传感单元采用差分的方式对矢量磁场的分量进行感测，能够进一步提高感测灵敏度和共模抑制能力。

公开(公告)号：CN108151735A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711295820.8

申请日：2017-12-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘骅锋 ,  涂良成 ,  宋萧萧 ,  渠自强 ,  伍文杰

IPC: G01C21/16

Abstract: 本发明公开了一种利用SOI片制作高精度MEMS惯性传感器的方法，主要包括以下步骤：(1)处理SOI片：在SOI片的器件层上制作驱动电容极板和封装凸点，采用深硅刻蚀工艺加工刻蚀槽直至SOI片的牺牲层，完成硅基检验质量块和弹簧的一体化加工；在支撑层上制作掩膜，采用深硅刻蚀工艺制作释放孔结构直至SOI片的牺牲层；通过释放孔刻蚀SOI片的牺牲层，使可活动的部件被释放；(2)制作盖板；(3)将SOI片与盖板两者进行对准封装，形成MEMS惯性传感器。本发明通过对关键器件层、支撑层的选取，以及对电容位移检测方式进行改进，与现有技术相比能够有效制作大检验质量块和较高的电容位移检测精度、解决MEMS惯性传感器精度不高的问题。

公开(公告)号：CN108151735B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201711295820.8

申请日：2017-12-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘骅锋 ,  涂良成 ,  宋萧萧 ,  渠自强 ,  伍文杰

IPC: G01C21/16

Abstract: 本发明公开了一种利用SOI片制作高精度MEMS惯性传感器的方法，主要包括以下步骤：(1)处理SOI片：在SOI片的器件层上制作驱动电容极板和封装凸点，采用深硅刻蚀工艺加工刻蚀槽直至SOI片的牺牲层，完成硅基检验质量块和弹簧的一体化加工；在支撑层上制作掩膜，采用深硅刻蚀工艺制作释放孔结构直至SOI片的牺牲层；通过释放孔刻蚀SOI片的牺牲层，使可活动的部件被释放；(2)制作盖板；(3)将SOI片与盖板两者进行对准封装，形成MEMS惯性传感器。本发明通过对关键器件层、支撑层的选取，以及对电容位移检测方式进行改进，与现有技术相比能够有效制作大检验质量块和较高的电容位移检测精度、解决MEMS惯性传感器精度不高的问题。

公开(公告)号：CN108039338A

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201711193289.3

申请日：2017-11-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘骅锋 ,  涂良成 ,  宋萧萧 ,  王秋 ,  饶康 ,  渠自强 ,  伍文杰 ,  刘金全 ,  范继

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明属于微纳加工制造领域，更具体地，涉及一种消除介质层针孔缺陷影响的方法。本发明介质层位于第一金属层与第二金属层之间，其为第一金属层与第二金属层之间的电气绝缘层，通过在沉积第二金属层之前，将第一金属层连同表面沉积的介质层进行湿法刻蚀，刻蚀液通过介质层中的针孔缺陷进入第一金属层表面，发生第一金属层的各向同性刻蚀，使得第一金属层形成无金属区域，无金属区域的横向尺寸大于针孔缺陷的横向尺寸，纵向尺寸等于第一金属层的厚度，这样再沉积上层金属即第二金属层时就不会在两金属层之间形成导通，由此解决现有技术的介质层薄膜IMD中普遍存在的针孔缺陷带来的金属层间短路引起的良品率下降的技术问题。

公开(公告)号：CN116500516A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202210061424.3

申请日：2022-01-19

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 王苑 ,  宋萧萧 ,  刘骅锋 ,  赵纯 ,  胡方靖 ,  涂良成 ,  周泽兵

IPC: G01R33/02

Abstract: 本发明属于磁传感器领域，并具体公开了一种MEMS谐振式多功能磁力仪及磁场强度测量方法；该种MEMS谐振式多功能磁力仪包括双端固定音叉谐振器和洛伦兹力发生器；洛伦兹力发生器设置有两个，分别位于双端固定音叉谐振器两端的外侧，并分别与双端固定音叉谐振器的两端固定相连；洛伦兹力发生器两端存在电压差时，其内部产生移动电荷，该电荷在磁场中受洛伦兹力，洛伦兹力发生器将该洛伦兹力施加于双端固定音叉谐振器端部，使双端固定音叉谐振器受轴向力，以此调制双端固定音叉谐振器的谐振频率，实现对外部磁场的感测。该种MEMS谐振式多功能磁力仪能够适应复杂的磁场环境，能够实现片上集成，且灵敏度和分辨率高，并兼具力学传感器等功能。